| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-24页 |
| ·太阳能电池的发展与应用 | 第9页 |
| ·太阳能电池工作原理 | 第9-11页 |
| ·薄膜太阳能电池国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·CuInS_2及Cu(InGa)S_2薄膜太阳能电池研究现状 | 第13-21页 |
| ·CIS 薄膜的性质 | 第13-14页 |
| ·CIS 薄膜太阳能电池主要制备方法 | 第14-16页 |
| ·CIS 薄膜太阳能电池研究概况 | 第16-21页 |
| ·问题的提出 | 第21-22页 |
| ·研究目标 | 第22-23页 |
| ·技术路线 | 第23-24页 |
| 第2章 实验方法与仪器设备 | 第24-30页 |
| ·薄膜制备相关实验设备 | 第24页 |
| ·CuInS_2及Cu(InGa)S_2 薄膜制备方法 | 第24-29页 |
| ·玻璃基底的清洗 | 第27页 |
| ·CIS 薄膜电池背电极Mo 层制备 | 第27-28页 |
| ·Cu-In(CI)及Cu-In-Ga(CIG)预制膜制备 | 第28页 |
| ·固态硫化CI 及CIG 预制膜制备CIS 及CIGS 薄膜 | 第28-29页 |
| ·薄膜性能检测方法与仪器 | 第29-30页 |
| 第3章 CuInS_2薄膜制备及性能工艺研究 | 第30-67页 |
| ·靶功率密度对于CuInS_2 薄膜性能影响 | 第31-38页 |
| ·靶功率密度对于Cu-In 预制膜成分及形貌影响 | 第31-33页 |
| ·靶功率密度对于Cu-In 预制膜结构及沉积速率影响 | 第33-34页 |
| ·靶功率密度对于CIS 薄膜结构影响 | 第34-35页 |
| ·靶功率密度对于CIS 薄膜成分影响 | 第35-36页 |
| ·靶功率密度对于CIS 薄膜形貌影响 | 第36-38页 |
| ·硫化温度对于CuInS_2 薄膜性能影响 | 第38-44页 |
| ·硫化温度对于 CIS 薄膜成分影响 | 第38-39页 |
| ·硫化温度对于 CIS 薄膜形貌影响 | 第39-41页 |
| ·硫化温度对于 CIS 薄膜结构影响 | 第41-44页 |
| ·硫化时间对于CuInS_2 薄膜性能影响 | 第44-50页 |
| ·硫化时间对于 CIS 薄膜成分影响 | 第45页 |
| ·硫化时间对于 CIS 薄膜表面形貌影响 | 第45-47页 |
| ·硫化时间对于 CIS 薄膜结构影响 | 第47-48页 |
| ·硫化时间对于CIS 薄膜禁带宽度影响 | 第48-50页 |
| ·预制膜中Cu/In 原子比对于CuInS_2 薄膜性能影响 | 第50-58页 |
| ·预制膜中Cu/In 原子比对于CIS 薄膜成分影响 | 第52-53页 |
| ·预制膜中Cu/In 原子比对于CIS 薄膜形貌影响 | 第53-54页 |
| ·预制膜中Cu/In 原子比对于CIS 薄膜结构影响 | 第54-57页 |
| ·预制膜中Cu/In 原子比对于CIS 薄膜禁带宽度影响 | 第57-58页 |
| ·预制膜Cu/In>1 时硫化温度对于CuInS_2 薄膜性能影响 | 第58-63页 |
| ·硫化温度对于 CIS 薄膜形貌影响 | 第58-61页 |
| ·硫化温度对于 CIS 薄膜结构影响 | 第61-63页 |
| ·硫化温度对于 CIS 薄膜禁带宽度影响 | 第63页 |
| ·预制膜不同叠层方式对于CuInS_2 薄膜形貌影响 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第4章 Cu(InGa)S_2薄膜制备及性能工艺研究 | 第67-100页 |
| ·Cu-In-Ga 预制膜的制备及其性能 | 第67-69页 |
| ·硫化温度对于Cu(InGa)S_2 薄膜性能影响 | 第69-77页 |
| ·硫化温度对于 CIGS 薄膜成分影响 | 第69-70页 |
| ·硫化温度对于 CIGS 薄膜表面形貌影响 | 第70-74页 |
| ·硫化温度对于 CIGS 薄膜结构影响 | 第74-75页 |
| ·硫化温度对于 CIGS 薄膜禁带宽度影响 | 第75-77页 |
| ·硫化时间对于Cu(InGa)S_2 薄膜性能影响 | 第77-80页 |
| ·硫化时间对于 CIGS 薄膜成分影响 | 第77-78页 |
| ·硫化时间对于 CIGS 薄膜表面形貌影响 | 第78-79页 |
| ·硫化时间同 CIGS 薄膜结构关系 | 第79-80页 |
| ·预制膜中Ga 含量对于Cu(InGa)S_2 薄膜性能影响 | 第80-86页 |
| ·预制膜中Ga 含量对于CIGS 薄膜成分影响 | 第81-83页 |
| ·预制膜中Ga 含量对于CIGS 薄膜形貌影响 | 第83-84页 |
| ·预制膜中Ga 含量同CIGS 薄膜结构关系 | 第84-86页 |
| ·Ga/(In+Ga)=0.10 时硫化温度对于 Cu(InGa)S_2 薄膜性能影响 | 第86-91页 |
| ·硫化温度对于 CIGS 薄膜成分影响 | 第87页 |
| ·硫化温度对于 CIGS 薄膜形貌影响 | 第87-90页 |
| ·硫化温度对于 CIGS 薄膜结构影响 | 第90-91页 |
| ·双层预制膜对于CIGS 薄膜性能影响 | 第91-94页 |
| ·硫量对于Cu(InGa)S_2 薄膜性能影响 | 第94-98页 |
| ·硫量对于CIGS 薄膜成分影响 | 第94-95页 |
| ·硫量对于CIGS 薄膜形貌影响 | 第95-96页 |
| ·硫量对于CIGS 薄膜结构影响 | 第96-97页 |
| ·硫量对于CIGS 薄膜禁带宽度影响 | 第97-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 第5章 结论 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第106页 |
