| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料特性简介 | 第12-14页 |
| ·GaN及其三元化合物的材料生长 | 第14-17页 |
| ·GaN材料衬底 | 第14-16页 |
| ·GaN材料外延生长设备 | 第16-17页 |
| ·GaN材料p型掺杂的现状 | 第17-18页 |
| ·GaN基材料极性的概述 | 第18-19页 |
| ·本文的研究内容和目的 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-21页 |
| 第二章 GaN基材料的极性及极化电场 | 第21-31页 |
| ·GaN基材料极性的定义 | 第21-22页 |
| ·镓极性GaN材料和氮极性GaN材料 | 第22-24页 |
| ·两种极性GaN材料的性质差异 | 第22-23页 |
| ·两种极性之间的转变 | 第23-24页 |
| ·GaN基材料中的自发极化和压电极化 | 第24-27页 |
| ·极化电场对器件性能的影响 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第三章 一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解 | 第31-39页 |
| ·理论模型 | 第31-33页 |
| ·掺杂超晶格结构 | 第33-35页 |
| ·p型超晶格结构 | 第33-35页 |
| ·n型超晶格结构 | 第35页 |
| ·非掺杂的量子阱结构 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第四章 InGaN/AlGaN超晶格提高p型GaN掺杂效率 | 第39-52页 |
| ·超晶格提高空穴浓度降低欧姆接触 | 第39-41页 |
| ·利用InGaN/AlGaN超晶格提高空穴浓度 | 第41-44页 |
| ·掺杂浓度对超晶格掺杂效率的影响 | 第44-46页 |
| ·实验结果及讨论 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第五章 In组分渐变量子阱 | 第52-64页 |
| ·极化电场对发光二极管内量子效率的影响 | 第52-55页 |
| ·阱层In组分(渐变)调制 | 第55-56页 |
| ·In组分渐变的发光二极管(LED) | 第56-62页 |
| ·外延结构生长 | 第56-57页 |
| ·变温PL谱测试 | 第57-61页 |
| ·LED内量子效率的测量 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第六章 研究工作总结及展望 | 第64-66页 |
| 附录一:研究生期间发表论文及申请专利 | 第66-67页 |
| 附录二:薛定谔方程的计算源代码(matlab) | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71页 |