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汞系铜氧化物高温超导体与氧化亚铜单晶体的生长与性质的研究

提要第1-8页
第1章 绪论第8-32页
   ·超导体的研究进展第8-12页
   ·超导体的基本性质第12-16页
     ·零电阻效应第12-13页
     ·迈斯纳效应第13-14页
     ·临界磁场和超导体的分类第14-16页
   ·超导电性的微观物理机制—BCS理论第16-18页
     ·电子与声子的相互作用第16-17页
     ·库柏对第17页
     ·超导电性的微观物理图像第17-18页
   ·铜氧化物高温超导体第18-23页
     ·铜氧化物高温超导体的电子态相图第19-20页
     ·铜氧化物高温超导体的结构第20-23页
   ·铜氧化物高温超导体的元素替代效应与高温超导机理第23-25页
     ·引言第23-24页
     ·元素替代效应的物理图像第24-25页
   ·助熔剂法(高温熔液)生长方法概述第25-28页
     ·助熔剂方法的主要特点第26页
     ·助熔剂的选择和类型第26-27页
     ·坩埚的选择第27-28页
   ·选题的意义及主要研究内容第28-30页
   ·本文所用表征方法和测试手段第30-32页
第2章 汞系高温超导体简介第32-52页
   ·汞系高温超导体的晶体结构第32-35页
   ·Hg-Ba-Ca-Cu-O体系相图第35-39页
     ·BaO-CuO、CaO-CuO、BaO-CaO二元系第36-37页
     ·HgO-CuO、HgO-BaO、HgO-CaO二元系第37页
     ·BaO-CaO-CuO三元系第37-38页
     ·HgO-BaO-CuO三元系第38-39页
     ·HgO-BaO-CaO-CuO四元系的相关系第39页
   ·汞系高温超导体的制备第39-44页
     ·固相扩散法制备第40-43页
     ·高压合成法第43-44页
   ·汞系高温超导体的掺杂第44-48页
   ·汞系高温超导体的压力效应第48-52页
第3章 汞系高温超导体单晶体生长第52-65页
   ·汞系高温超导体单晶体生长方法的选择第52-53页
   ·HgBa_2CuO_(4+δ)(Hg1201)单晶体的生长第53-59页
   ·HgBa_2CaCu_2O_(6+δ)(Hg1212)晶体的生长第59-61页
   ·HgBa_2Cu_(1-x)Zn_xO_(4+δ)晶体的生长第61-64页
   ·本章小结第64-65页
第4章 汞系高温超导体的表征第65-87页
   ·退火(热处理)实验第65-69页
   ·电学性质测量第69-78页
   ·利用剩余磁矩测量超导抗磁性-REM方法第78-83页
   ·晶体表面的处理和表征第83-85页
     ·晶体表面处理:刻蚀第83页
     ·超导样品的X射线光电子能谱(XPS)研究第83-85页
   ·本章小结第85-87页
第5章 氧化亚铜的绿色化学合成第87-109页
   ·氧化亚铜的性质第87-89页
   ·氧化亚铜的合成方法第89-91页
   ·氧化亚铜的应用特性第91-92页
   ·氧化铜与铜的反应第92-98页
     ·空气气氛中氧化铜和铜的高温反应第93-95页
     ·氩气气氛中氧化铜和铜的高温反应第95-96页
     ·密闭体系中氧化铜和铜的反应第96-97页
     ·助熔剂对氧化铜和铜的反应的影响第97-98页
   ·氧化亚铜晶体的生长第98-101页
   ·氧化亚铜晶体生长的影响因素第101-106页
     ·晶体生长热力学因素第101-104页
     ·晶体生长动力学因素第104-106页
   ·氧化亚铜绿色合成推广前景第106-107页
   ·本章小结第107-109页
第6章 结论第109-112页
参考文献第112-125页
致谢第125-126页
作者简历第126-127页
攻读博士学位期间发表论文第127-128页
中文摘要第128-133页
英文摘要第133-137页

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