| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·本文工作目的与意义 | 第8-10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 射频系统的关键模块-----功率放大器 | 第11-17页 |
| ·经典功率放大器 | 第11-13页 |
| ·A类功率放大器 | 第11-12页 |
| ·B类功率放大器 | 第12页 |
| ·C类功率放大器 | 第12-13页 |
| ·AB类功率放大器 | 第13页 |
| ·开关模式功率放大器 | 第13-15页 |
| ·D类功率放大器 | 第13-14页 |
| ·E类功率放大器 | 第14-15页 |
| ·F类功率放大器 | 第15页 |
| ·本章小结 | 第15-17页 |
| 第三章 基于SiC E类功率放大器理论分析 | 第17-33页 |
| ·SiC材料与4H-SiC MESFET概述 | 第17-19页 |
| ·SiC材料及4H-SiC | 第17-18页 |
| ·4H-SiC MESFET器件 | 第18-19页 |
| ·基于SiC E类功率放大器 | 第19-30页 |
| ·SiC MESFET E类功率放大器分析 | 第19-20页 |
| ·有并联电容的SiC E类功率放大器 | 第20-24页 |
| ·有并联电路的SiC E类功率放大器 | 第24-27页 |
| ·SiC MESFET E类功放参数指标 | 第27-30页 |
| ·基于SiC器件和CMOS 技术的E类功放发展评述 | 第30页 |
| ·本章小结 | 第30-33页 |
| 第四章 基于SiC MESFET E类功放设计 | 第33-47页 |
| ·器件选择与模型分析 | 第33-38页 |
| ·器件选择 | 第33-35页 |
| ·4H-SiC MESFET模型分析 | 第35-38页 |
| ·E类功率放大器输入匹配网络设计 | 第38-41页 |
| ·E类功率放大器输出匹配网络设计 | 第41-46页 |
| ·并联电容结构E类功放参数设计 | 第42-43页 |
| ·E类功放输出匹配网络设计 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 仿真结果与分析 | 第47-57页 |
| ·E类放大器的匹配分析 | 第47-48页 |
| ·扫描输入功率仿真分析 | 第48-49页 |
| ·扫描栅极偏压仿真分析 | 第49-51页 |
| ·扫描漏极偏压仿真分析 | 第51-52页 |
| ·扫描频率仿真分析 | 第52-54页 |
| ·谐波抑制仿真分析 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第六章 总结 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |