基于标准CMOS工艺的OTP存储器的设计与研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·课题的来源及研究意义 | 第9页 |
| ·OTP存储器的发展趋势 | 第9-10页 |
| ·国内外OTP存储器的发展现状 | 第10-12页 |
| ·课题的主要工作及技术要点 | 第12页 |
| ·论文章节的组成 | 第12-13页 |
| 第二章 存储单元结构和工作机制 | 第13-21页 |
| ·存储单元的结构 | 第13-14页 |
| ·阈值电压分析 | 第14-15页 |
| ·沟道热载流子的产生 | 第15-17页 |
| ·存储单元的工作机制 | 第17-19页 |
| ·存储单元的编程 | 第17-18页 |
| ·存储单元的擦除 | 第18页 |
| ·存储单元的读取 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 OTP存储器的设计 | 第21-37页 |
| ·存储器阵列布局 | 第21-23页 |
| ·地址译码电路 | 第23-28页 |
| ·静态CMOS逻辑 | 第23-24页 |
| ·动态逻辑 | 第24-25页 |
| ·应用 | 第25-28页 |
| ·时序控制电路 | 第28-29页 |
| ·高压电路 | 第29-34页 |
| ·上电复位电路(PORST) | 第29-31页 |
| ·Boost电路 | 第31-32页 |
| ·高压转换电路(VPPSW) | 第32-34页 |
| ·输入输出电路 | 第34-36页 |
| ·数据输入电路 | 第34页 |
| ·数据输出电路 | 第34-35页 |
| ·灵敏放大器电路(SA) | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 OTP存储器的版图设计 | 第37-45页 |
| ·版图布局 | 第37-40页 |
| ·整体布局(floor-plan) | 第37页 |
| ·信号线布局(signal-plan) | 第37-39页 |
| ·电源网络布局(power-plan) | 第39-40页 |
| ·OTP存储器的主要模块的版图 | 第40-41页 |
| ·版图中应注意的其他问题 | 第41-44页 |
| ·加屏蔽线 | 第41-42页 |
| ·增加冗余器件提高匹配度 | 第42-43页 |
| ·走线的技巧 | 第43页 |
| ·天线效应的防止 | 第43页 |
| ·保护环的添加 | 第43-44页 |
| ·版图验证与寄生参数的提取 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 仿真结果 | 第45-51页 |
| ·前仿真 | 第45-48页 |
| ·HSIM精度与仿真速度的设置 | 第45页 |
| ·前仿真结果 | 第45-48页 |
| ·后仿真 | 第48-50页 |
| ·HSPICE精度与仿真速度的设置 | 第49页 |
| ·后仿真结果 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 OTP存储器的测试 | 第51-59页 |
| ·数据耐久力特性 | 第51-52页 |
| ·数据保持能力特性 | 第52-57页 |
| ·产品规格的非易失性存储器的数据保持力 | 第52-53页 |
| ·测试环境和条件介绍 | 第53-54页 |
| ·测试流程 | 第54-55页 |
| ·测试结果和分析 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第七章 总结和展望 | 第59-61页 |
| ·总结 | 第59页 |
| ·展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 研究成果 | 第66-67页 |
