摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
目录 | 第8-11页 |
第1章 绪论 | 第11-21页 |
·半导体量子点概述 | 第11-15页 |
·各族半导体量子点及其荧光光谱范围 | 第11-12页 |
·半导体量子点的光学特征 | 第12-15页 |
·胶质半导体量子点的研究进展 | 第15页 |
·胶质半导体量子点光学性质的典型应用 | 第15-19页 |
·生物荧光标记 | 第15-16页 |
·量子点荧光编码 | 第16-17页 |
·红外通信 | 第17页 |
·太阳能电池 | 第17-19页 |
·发光二极管 | 第19页 |
·本论文研究意义和主要内容 | 第19-21页 |
第2章 胶质量子点的合成与表征 | 第21-30页 |
·胶质量子点的合成反应机理 | 第21-22页 |
·胶体化学合成法的研究现状 | 第22-23页 |
·胶质硒化铅量子点的合成 | 第23-25页 |
·胶质量子点的光学性质的表征 | 第25-30页 |
第3章 胶质量子点禁带宽度的尺寸依赖特性 | 第30-51页 |
·量子点能量结构理论研究进展 | 第30-32页 |
·量子点能量结构理论基础 | 第32-34页 |
·硒化铅、硒化镉量子点能级结构计算 | 第34-44页 |
·PbSe 量子点能级结构计算 | 第35-39页 |
·CdSe 量子点能级结构计算 | 第39-41页 |
·计算结果分析 | 第41-44页 |
·核/壳型量子点的能量结构计算 | 第44-51页 |
·基本模型的构建 | 第44-47页 |
·具体核壳型量子点的计算 | 第47-51页 |
第4章 胶质量子点禁带宽度的温度依赖特性 | 第51-62页 |
·概述 | 第51-52页 |
·量子点的温度系数 | 第52-55页 |
·晶格热膨胀作用 | 第53页 |
·热膨胀对量子点的受限能的变化的影响 | 第53-54页 |
·温度对量子点库伦作用的影响 | 第54页 |
·温度对量子点电声相互作用的影响 | 第54-55页 |
·铅族量子点的温度系数的计算 | 第55-62页 |
·热膨胀系数 | 第56页 |
·PbSe 量子点温度系数的计算 | 第56-60页 |
·计算结果讨论 | 第60-62页 |
第5章 胶质量子点的发光效率的温度依赖特性 | 第62-78页 |
·晶格弛豫和多声子跃迁理论 | 第62-66页 |
·电子-晶格系统的运动方程及各个状态的能量 | 第63-64页 |
·黄昆参数和谱形函数 | 第64-65页 |
·无辐射跃迁 | 第65-66页 |
·位形坐标理论 | 第66-71页 |
·位形坐标理论模型基础和对发光现象的定性解释 | 第66-68页 |
·使用位形坐标理论模型对半导体材料发光理论模型构建 | 第68-71页 |
·胶质量子点发光效率的温度依赖特性的计算 | 第71-78页 |
·胶质量子点 PL 谱的 FWHM | 第71-72页 |
·胶质量子点 PL 谱的强度 | 第72-74页 |
·对具体材料的计算 | 第74-78页 |
第6章 论文总结和改进建议 | 第78-81页 |
·论文总结 | 第78-79页 |
·改进建议 | 第79-81页 |
参考文献 | 第81-89页 |
在学期间所取得的科研成果 | 第89-90页 |
致谢 | 第90页 |