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热电材料晶体结构与微观缺陷相关的特异传输性质

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-13页
第一章 绪论第13-38页
   ·热电材料概述第13-14页
   ·热电效应第14-17页
     ·Seebeck 效应第14-15页
     ·Peltier 效应第15-16页
     ·Thomson 效应第16页
     ·三种热电效应的关系第16-17页
   ·热电器件与热电优值系数第17-19页
     ·热电器件的工作原理及其转换效率第17-18页
     ·热电优值系数第18-19页
   ·热电材料的研究进展第19-26页
     ·低维热电材料第20-22页
     ·复杂结构块体热电材料第22-26页
   ·热电参数相关的固体理论第26-30页
     ·Seebeck 系数第27页
     ·电导率第27-28页
     ·热导率第28-29页
     ·热电优值系数第29-30页
   ·本论文的选题和意义第30-31页
 参考文献第31-38页
第二章 计算原理与方法第38-51页
   ·第一性原理方法第38页
   ·基本近似第38-40页
   ·密度泛函理论第40-43页
   ·线性缀加平面波方法(LAPW)第43-46页
     ·缀加平面波方法(APW)第43-45页
     ·线性缀加平面波方法(LAPW)第45-46页
     ·晶体结构的驰豫和优化第46页
   ·玻耳兹曼传输理论第46-49页
   ·本章小结第49页
 参考文献第49-51页
第三章 ReSi_(1.75)的电子结构和掺杂体系的传输性能第51-81页
   ·研究背景第51-54页
   ·计算模型与方法第54-55页
   ·ReSi_(1.75) 的晶格缺陷和电子结构第55-64页
     ·ReSi_(1.75) 的基态晶体结构第55-57页
     ·ReSi_(1.75) 的电子结构第57-64页
   ·ReSi_(1.75) 掺杂体系的晶体结构和电子结构第64-72页
     ·ReSi_(1.75) 掺杂体系的晶格占位和晶体结构第64-66页
     ·ReSi_(1.75) 掺杂体系的电子结构第66-72页
   ·ReSi_(1.75) 掺杂体系的传输性能第72-77页
   ·本章小结第77页
 参考文献第77-81页
第四章 Zn_4Sb_3的电子结构和掺杂体系的传输性能第81-101页
   ·研究背景第81-84页
   ·计算模型与方法第84-86页
   ·Zn_4Sb_3 的电子结构第86-93页
     ·α-Zn_4Sb_3与Mayer 模型β-Zn_4Sb_3的电子结第86-88页
     ·β-Zn_4Sb_3 的晶体结构和电子结构第88-93页
   ·β-Zn_4Sb_3 掺杂体系的传输性能第93-97页
   ·本章小结第97-98页
 参考文献第98-101页
第五章 Rh_3ScSi_7单晶的电子结构和传输性能第101-118页
   ·引言第101-102页
   ·计算模型与方法第102-103页
   ·材料制备与试验方法第103-107页
     ·单晶材料的制备第103-104页
     ·材料的微观组织分析及单晶生长方向的确定第104页
     ·电导率和Seebeck 系数的测定第104-106页
     ·热导率的测定第106-107页
   ·Rh_3ScSi_7 的电子结构第107-110页
   ·Rh_3ScSi_7 和Rh_3Sc(Si_(0.98)Al_(0.02))_7 单晶的传输性能第110-116页
     ·Rh_3ScSi_7 和Rh_3Sc(Si_(0.98)Al_(0.02))_7 单晶材料的制备第110-111页
     ·Rh_3ScSi_7 和Rh_3Sc(Si_(0.98)Al_(0.02))_7 单晶的Seebeck 系数第111-113页
     ·Rh_3ScSi_7 和Rh_3Sc(Si_(0.98)Al_(0.02))_7 单晶的电导率第113-114页
     ·Rh_3ScSi_7 和Rh_3Sc(Si_(0.98)Al_(0.02))_7 单晶的功率因子第114-115页
     ·Rh_3ScSi_7 和Rh_3Sc(Si_(0.98)Al_(0.02))_7 单晶的优值系数第115-116页
   ·本章小结第116-117页
 参考文献第117-118页
第六章 全文总结第118-121页
   ·主要结论第118-119页
   ·创新点第119-121页
致谢第121-122页
攻读博士学位期间发表的论文第122页

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