一种高压运算放大器的设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-16页 |
| ·研究背景及意义 | 第10-11页 |
| ·国内外研究动态 | 第11-13页 |
| ·发展趋势 | 第13-14页 |
| ·运算放大器发展的主要方向 | 第13-14页 |
| ·高压运算放大器的发展的几个阶段 | 第14页 |
| ·高压运算放大器发展的趋势 | 第14页 |
| ·论文的主要内容 | 第14-16页 |
| 第二章 Cadence 软件概述 | 第16-23页 |
| ·Cadence cdsSPICE 的使用 | 第16-19页 |
| ·进入Cadence 工作库 | 第16-17页 |
| ·文件、工具与技术文件菜单 | 第17页 |
| ·编辑可进行SPICE 模拟的单元文件 | 第17页 |
| ·模拟的设置 | 第17-18页 |
| ·模拟结果的显示以及处理 | 第18页 |
| ·分模块模拟（建立子模块） | 第18-19页 |
| ·Virtuoso Editing 的使用 | 第19页 |
| ·Diva 验证工具使用 | 第19-22页 |
| ·版图提取文件 | 第20页 |
| ·LVS 文件 | 第20-21页 |
| ·Diva 的用法 | 第21-22页 |
| ·DRC 的说明 | 第21-22页 |
| ·版图提取说明 | 第22页 |
| ·后仿真 | 第22-23页 |
| 第三章 高压运算放大器单元功能电路设计 | 第23-47页 |
| ·运算放大器概述 | 第23-25页 |
| ·高压运放输入级功能电路设计 | 第25-26页 |
| ·传统运放的输入级 | 第25-26页 |
| ·高压运放输入级功能电路 | 第26页 |
| ·高压运放中间级功能电路设计 | 第26-30页 |
| ·简单的共源共栅(cascode)放大器 | 第26-28页 |
| ·套筒式共源共栅运算放大器 | 第28-29页 |
| ·折叠式共源共栅运算放大器 | 第29-30页 |
| ·高压运放中间级功能电路 | 第30页 |
| ·高压运放输出级功能电路设计 | 第30-37页 |
| ·共源输出放大器 | 第31-32页 |
| ·源极跟随器 | 第32-34页 |
| ·推挽共漏放大器 | 第34-35页 |
| ·推挽共源放大器 | 第35-36页 |
| ·高压运放输出级功能电路 | 第36-37页 |
| ·高压运放偏置级功能电路设计 | 第37页 |
| ·高压运放反馈级功能电路设计 | 第37-39页 |
| ·传统运放的反馈级 | 第37-38页 |
| ·高压运放反馈级功能电路 | 第38-39页 |
| ·高压运放的稳定性与频率补偿 | 第39-45页 |
| ·高压运放负反馈系统的稳定性 | 第39-41页 |
| ·高压运放的频率补偿 | 第41-45页 |
| ·高压运放的噪声分析 | 第45-47页 |
| ·噪声的分类 | 第45页 |
| ·高压运放噪声的计算 | 第45-47页 |
| 第四章 高压运算放大器的耐压原理分析 | 第47-59页 |
| ·高压功率器件概述 | 第47-48页 |
| ·功率半导体器件的分类 | 第47-48页 |
| ·功率半导体器件的发展趋势 | 第48页 |
| ·功率二极管 | 第48-49页 |
| ·MOSFET 晶体管的基本理论 | 第49-50页 |
| ·功率MOSFET 晶体管 | 第50-55页 |
| ·高压纵向功率DMOS（VDMOS）管 | 第50-51页 |
| ·高压横向功率DMOS(LDMOS)管 | 第51-55页 |
| ·高压器件工艺技术 | 第55-57页 |
| ·BCD 工艺技术 | 第55-56页 |
| ·SOI 工艺技术 | 第56-57页 |
| ·功率集成电路 | 第57-59页 |
| ·功率集成电路概述 | 第57页 |
| ·功率集成电路隔离工艺技术 | 第57-59页 |
| 第五章 高压运算放大器的总体设计实现 | 第59-78页 |
| ·总体技术方案 | 第59-61页 |
| ·高压运放的特点 | 第59页 |
| ·高压运放的典型应用 | 第59页 |
| ·高压运放的电路规格 | 第59-60页 |
| ·高压运放的管脚功能 | 第60-61页 |
| ·总体电路设计及分析 | 第61-63页 |
| ·本设计中所采用的德国XFAB 高压工艺简介 | 第63页 |
| ·高压运放的外部连接 | 第63-66页 |
| ·电流限制 | 第63-64页 |
| ·输入保护 | 第64页 |
| ·外部缓冲器网络 | 第64-65页 |
| ·安全工作区（SOA） | 第65-66页 |
| ·稳定性 | 第66页 |
| ·外部补偿 | 第66页 |
| ·器件仿真 | 第66-67页 |
| ·高压运放功能仿真 | 第67-72页 |
| ·瞬态响应 | 第67-68页 |
| ·直流响应 | 第68页 |
| ·交流响应 | 第68-70页 |
| ·转换速率 | 第70页 |
| ·共模抑制比 | 第70-71页 |
| ·输出电压摆幅 | 第71-72页 |
| ·关键技术难点 | 第72-74页 |
| ·闭锁效应 | 第72-74页 |
| ·局部热点控制 | 第74页 |
| ·可靠性、可测性及可维护性 | 第74-75页 |
| ·版图设计 | 第75页 |
| ·测试 | 第75-78页 |
| 第六章 结论 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第83-84页 |
