| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| §1.1 Flash Memory的由来 | 第8-9页 |
| §1.2 Flash Memory的应用和市场 | 第9-12页 |
| §1.3 Flash Memory的现状和发展趋势 | 第12-14页 |
| §1.4 本文组织结构 | 第14-16页 |
| 第二章 浮栅器件工作原理与性能参数 | 第16-30页 |
| §2.1 浮栅Flash器件结构与工作原理 | 第16-18页 |
| §2.2 阈值电压分析 | 第18-21页 |
| §2.3 浮栅Flash器件的电荷输运机制 | 第21-26页 |
| §2.3.1 沟道热电子注入(Channel Hot Electron Injection) | 第21-23页 |
| §2.3.2 Fowler-Nordheim隧穿(F-N Tunneling) | 第23-25页 |
| §2.3.3 直接隧穿 | 第25-26页 |
| §2.4 评价非易失性存储器的性能参数 | 第26-27页 |
| §2.5 非易失性存储器的可靠性 | 第27-29页 |
| §2.5.1 耐受性 | 第27-28页 |
| §2.5.2 数据保持特性 | 第28-29页 |
| §2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 电荷俘获存储器件(CTM:charge trapping memory)结构与性能分析 | 第30-46页 |
| §3.1 电荷俘获型存储器结构和特点 | 第33-36页 |
| §3.2 电荷俘获型存储器中俘获层的研究 | 第36-45页 |
| §3.2.1 改进的氮化硅俘获层 | 第36-39页 |
| §3.2.2 高k介质材料俘获层 | 第39-43页 |
| §3.2.3 引入纳米晶材料的俘获层 | 第43-45页 |
| §3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 MAHOS结构MOS存储电容的制备与测试 | 第46-61页 |
| §4.1 MAHOS结构MOS存储器 | 第46-52页 |
| §4.1.1 实验制备 | 第46-47页 |
| §4.1.2 电荷存储特性测试方法 | 第47-52页 |
| §4.1.2.1 C-V测试 | 第48-50页 |
| §4.1.2.2 G-V测试 | 第50-51页 |
| §4.1.2.3 I-V测试 | 第51-52页 |
| §4.1.2.4 C-t测试 | 第52页 |
| §4.2 MAHOS结构测试结果分析与讨论 | 第52-60页 |
| §4.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| §5.1 总结 | 第61页 |
| §5.2 对未来研究的展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第68-69页 |
