| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·多晶硅表面处理的现状与未来 | 第11-18页 |
| ·本文主要研究内容及意义 | 第18-19页 |
| 第二章 硅腐蚀的化学反应原理 | 第19-25页 |
| ·硅腐蚀的化学反应原理 | 第19页 |
| ·影响腐蚀的主要因素 | 第19-24页 |
| ·浓度影响 | 第20-21页 |
| ·添加剂的影响 | 第21-22页 |
| ·温度影响 | 第22-23页 |
| ·腐蚀时间影响(腐蚀深度影响) | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 一步法制备多晶硅绒面的研究 | 第25-38页 |
| ·多晶硅绒面理想结构与陷光效应的基本理论 | 第25-28页 |
| ·碱腐蚀修饰多晶硅表面结构 | 第28-31页 |
| ·酸腐蚀修饰多晶硅表面结构 | 第31-37页 |
| ·HF-HNO_3 腐蚀 | 第31-32页 |
| ·HF-NaNO_2 腐蚀 | 第32-35页 |
| ·HF-NaNO_2 腐蚀产生的结构缺陷 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 两步法制备多晶硅绒面的研究 | 第38-47页 |
| ·HF-HNO_3-(NH_4)_2C_2O_2 腐蚀 | 第38-41页 |
| ·两步法腐蚀 | 第41-46页 |
| ·两步法腐蚀的多晶硅表面结构 | 第41-44页 |
| ·两步法时间优化 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-48页 |
| ·主要结论 | 第47页 |
| ·研究展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第52页 |