铋基半导体三元异质结光催化剂的制备及其光催化性能研究

摘要第8-10页
Abstract第10-12页
第一章绪论第12-23页
    1.1半导体光催化第12-14页
        1.1.1半导体光催化介绍第12-13页
        1.1.2半导体光催化机理第13页
        1.1.3影响半导体光催化活性的主要因素第13-14页
    1.2两种铋基半导体光催化剂研究进展第14-16页
        1.2.1碘氧铋(BiOI)第14-15页
        1.2.2碳酸氧铋(Bi2O2CO3第15-16页
    1.3铋基半导体材料光催化活性提高策略第16-18页
        1.3.1形貌结构调控第16-17页
        1.3.2金属或非金属元素掺杂第17页
        1.3.3异质结构筑第17-18页
    1.4铋基异质结光催化剂的研究进展第18-20页
        1.4.1金属/铋基半导体异质结第18页
        1.4.2半导体/铋基半导体异质结第18-19页
        1.4.3碳材料/铋基半导体异质结第19-20页
    1.5本论文的研究意义和主要内容第20-23页
        1.5.1研究意义第20-21页
        1.5.2主要内容第21页
        1.5.3论文的创新点第21-23页
第二章Bi/Bi2O2CO3/BiOI异质结光催化剂的制备及其光催化性能研究第23-38页
    2.1引言第23-24页
    2.2实验部分第24-26页
        2.2.1实验试剂第24-25页
        2.2.2Bi/Bi2O2CO3纳米材料的制备第25页
        2.2.3Bi/Bi2O2CO3/BiOI纳米材料的制备第25页
        2.2.4材料表征第25-26页
        2.2.5光催化实验第26页
    2.3结果与讨论第26-36页
        2.3.1物相、结构和形貌分析第26-31页
        2.3.2光学性质分析第31-32页
        2.3.3比表面积和孔径分布分析第32页
        2.3.4光催化性能分析第32-34页
        2.3.5光催化机理分析第34-36页
    2.4本章小结第36-38页
第三章Z型g-C3N4/BiOI/Bi2O2CO3异质结光催化剂的制备及其光催化性能研究第38-54页
    3.1引言第38-39页
    3.2实验部分第39-41页
        3.2.1实验试剂第39页
        3.2.2g-C3N4的制备第39-40页
        3.2.3g-C3N4/BiOI异质结材料的制备第40页
        3.2.4g-C3N4/BiOI/Bi2O2CO3异质结材料的制备第40-41页
        3.2.5材料表征第41页
        3.2.6光催化实验第41页
    3.3结果与讨论第41-52页
        3.3.1物相、结构和形貌分析第41-47页
        3.3.2光学性质分析第47-48页
        3.3.3比表面积和孔径分布分析第48-49页
        3.3.4光催化性能分析第49-50页
        3.3.5光催化机理分析第50-52页
    3.4本章小结第52-54页
第四章In(OH)3/InOOH/Bi2O2CO3异质结光催化剂的模板法制备与光催化性能研究第54-68页
    4.1引言第54-55页
    4.2实验部分第55-57页
        4.2.1实验试剂第55页
        4.2.2In(OH)3/InOOH异质结的制备第55-56页
        4.2.3In(OH)3/InOOH/Bi2O2CO3异质结的制备第56页
        4.2.4材料表征第56-57页
        4.2.5光催化实验第57页
    4.3结果与讨论第57-67页
        4.3.1物相和组成分析第57-59页
        4.3.2形貌和微结构分析第59-62页
        4.3.3光学性质分析第62-63页
        4.3.4比表面积和孔径分布分析第63页
        4.3.5光催化性能分析第63-65页
        4.3.6光催化机理分析第65-67页
    4.4本章小结第67-68页
结语第68-70页
    1.结论第68页
    2.展望第68-70页
参考文献第70-90页
攻读学位期间取得的研究成果第90-91页
致谢第91页

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