| 论文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-39页 |
| ·纳米技术概述 | 第17页 |
| ·硅纳米线综述 | 第17-28页 |
| ·硅纳米线的制备方法 | 第19-21页 |
| ·硅纳米线的研究现状 | 第21-28页 |
| ·纳米材料的图形化 | 第28-30页 |
| ·硅纳米线的表面修饰技术 | 第30-31页 |
| ·本论文的主要工作 | 第31-34页 |
| ·本论文工作的意义 | 第31页 |
| ·本论文的创新点 | 第31-32页 |
| ·本论文各章内容 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-39页 |
| 第二章 硅纳米线阵列的形成机理研究 | 第39-61页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·伽伐尼置换(Galvanic Displacement) | 第39-40页 |
| ·H-终止硅表面的金属沉积——伽伐尼置换 | 第40-46页 |
| ·现有硅纳米线阵列的形成机理分析 | 第46-51页 |
| ·硅纳米线阵列新的形成机理探索 | 第51-55页 |
| ·H-终止(H-terminated)硅表面获得 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第三章 硅纳米线阵列的制备研究 | 第61-92页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·实验部分 | 第62-63页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第62-63页 |
| ·硅片处理 | 第63页 |
| ·实验步骤 | 第63-64页 |
| ·刻蚀剂的配制 | 第63页 |
| ·硅纳米线的刻蚀 | 第63-64页 |
| ·结果与讨论 | 第64-83页 |
| ·不同实验条件对硅纳米线阵列刻蚀的影响 | 第64-81页 |
| ·硅纳米线的结构分析 | 第81-82页 |
| ·硅纳米线的线径分析 | 第82-83页 |
| ·形成机理的进一步研究与验证 | 第83-88页 |
| ·改进前后的结果比较 | 第88-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-92页 |
| 第四章 硅纳米线阵列图形化制备研究 | 第92-111页 |
| ·引言 | 第92-93页 |
| ·实验部分 | 第93-97页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第93-94页 |
| ·硅片预处理的工艺过程 | 第94-96页 |
| ·实验方案设计 | 第96-97页 |
| ·图形化硅纳米线的制备 | 第97页 |
| ·结果与讨论 | 第97-109页 |
| ·反应时间的范围确定 | 第97-99页 |
| ·图形化硅纳米线阵列 | 第99-100页 |
| ·氮化硅的掩蔽能力 | 第100-102页 |
| ·不同尺寸的图案对图形化硅纳米线阵列生长的影响 | 第102-107页 |
| ·图形化硅纳米线阵列生长的动力学机制研究 | 第107-109页 |
| ·本章小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-111页 |
| 第五章 普鲁士蓝(PB)修饰的图形化硅纳米线阵列在生化传感器中的应用 | 第111-131页 |
| ·引言 | 第111-112页 |
| ·实验部分 | 第112-115页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第112-114页 |
| ·图形化硅纳米线的PB修饰 | 第114页 |
| ·PB/SiNWs电极的制备 | 第114-115页 |
| ·电化学测试系统 | 第115-116页 |
| ·结果与讨论 | 第116-128页 |
| ·普鲁士蓝修饰的硅纳米线 | 第116-117页 |
| ·SiNWs和PB/SiNWs工作电极活化 | 第117-120页 |
| ·PB/SiNWs电极对H_2O_2的电化学检测 | 第120-128页 |
| ·硅纳米线用于电化学传感器的优势分析 | 第128页 |
| ·本章小结 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-131页 |
| 第六章 总结与展望 | 第131-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 博士期间发表的论文和专利 | 第134-135页 |