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狄拉克半金属的第一性原理研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 绪论第8-32页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 凝聚态物理中的拓扑理论第9-17页
        1.2.1 BerryPhase第11-12页
        1.2.2 电子极化理论第12-14页
        1.2.3 Z2拓扑不变量第14-17页
    1.3 二维拓扑绝缘体第17-20页
        1.3.1 HgTe/CdTe量子阱的低能有效模型第17-19页
        1.3.2 螺旋边缘态第19-20页
    1.4 三维拓扑绝缘体第20-23页
        1.4.1 Bi_2Se_3的低能有效模型第21-22页
        1.4.2 单个狄拉克锥的表面态第22-23页
    1.5 三维狄拉克半金属第23-30页
        1.5.1 分类第24-25页
        1.5.2 Na_3Bi的低能有效模型第25-27页
        1.5.3 费米弧第27-28页
        1.5.4 实验进展第28-30页
    1.6 论文内容安排第30-32页
第2章 密度泛函理论第32-42页
    2.1 完整的哈密顿量第32-33页
    2.2 绝热近似第33-34页
    2.3 Hartree-Fock近似第34-37页
    2.4 密度泛函理论第37-40页
        2.4.1 Hohenberg-Kohn定理第37-38页
        2.4.2 Kohn-Sham方程第38页
        2.4.3 交换关联泛函第38-40页
        2.4.4 Kohn-Sham方程的求解第40页
    2.5 本章小结第40-42页
第3章 IVA族元素中的狄拉克半金属相第42-57页
    3.1 引言第42-43页
    3.2 计算方法第43-47页
        3.2.1 第一性原理计算第43-44页
        3.2.2 最大局域Wannier函数第44-45页
        3.2.3 格林函数方法计算表面态第45-47页
    3.3 Germancite和Stancite的稳定性分析第47-48页
    3.4 能带结构与拓扑不变量第48-52页
        3.4.1 能带计算与对称性分析第48-51页
        3.4.2 拓扑性质第51-52页
    3.5 低维结构第52-54页
        3.5.1 表面态第52-54页
        3.5.2 Germancite的二维薄膜第54页
    3.6 本章小结第54-57页
第4章 六角晶格LiZnBi中的狄拉克半金属相第57-69页
    4.1 引言第57-60页
    4.2 计算方法第60页
    4.3 应力诱导的狄拉克半金属相第60-63页
    4.4 狄拉克半金属相的表面态第63-65页
    4.5 应力调制LiZnBi的低能能级第65-67页
    4.6 本章小结第67-69页
第5章 拓扑绝缘体与石墨烯异质结第69-79页
    5.1 引言第69-70页
    5.2 计算方法第70页
    5.3 低能有效模型第70-75页
    5.4 平均场近似第75-78页
    5.5 本章小结第78-79页
第6章 结论第79-81页
参考文献第81-88页
致谢第88-90页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第90页

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