摘要 | 第3-4页 |
abstract | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第8-32页 |
1.1 引言 | 第8-9页 |
1.2 凝聚态物理中的拓扑理论 | 第9-17页 |
1.2.1 BerryPhase | 第11-12页 |
1.2.2 电子极化理论 | 第12-14页 |
1.2.3 Z2拓扑不变量 | 第14-17页 |
1.3 二维拓扑绝缘体 | 第17-20页 |
1.3.1 HgTe/CdTe量子阱的低能有效模型 | 第17-19页 |
1.3.2 螺旋边缘态 | 第19-20页 |
1.4 三维拓扑绝缘体 | 第20-23页 |
1.4.1 Bi_2Se_3的低能有效模型 | 第21-22页 |
1.4.2 单个狄拉克锥的表面态 | 第22-23页 |
1.5 三维狄拉克半金属 | 第23-30页 |
1.5.1 分类 | 第24-25页 |
1.5.2 Na_3Bi的低能有效模型 | 第25-27页 |
1.5.3 费米弧 | 第27-28页 |
1.5.4 实验进展 | 第28-30页 |
1.6 论文内容安排 | 第30-32页 |
第2章 密度泛函理论 | 第32-42页 |
2.1 完整的哈密顿量 | 第32-33页 |
2.2 绝热近似 | 第33-34页 |
2.3 Hartree-Fock近似 | 第34-37页 |
2.4 密度泛函理论 | 第37-40页 |
2.4.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第37-38页 |
2.4.2 Kohn-Sham方程 | 第38页 |
2.4.3 交换关联泛函 | 第38-40页 |
2.4.4 Kohn-Sham方程的求解 | 第40页 |
2.5 本章小结 | 第40-42页 |
第3章 IVA族元素中的狄拉克半金属相 | 第42-57页 |
3.1 引言 | 第42-43页 |
3.2 计算方法 | 第43-47页 |
3.2.1 第一性原理计算 | 第43-44页 |
3.2.2 最大局域Wannier函数 | 第44-45页 |
3.2.3 格林函数方法计算表面态 | 第45-47页 |
3.3 Germancite和Stancite的稳定性分析 | 第47-48页 |
3.4 能带结构与拓扑不变量 | 第48-52页 |
3.4.1 能带计算与对称性分析 | 第48-51页 |
3.4.2 拓扑性质 | 第51-52页 |
3.5 低维结构 | 第52-54页 |
3.5.1 表面态 | 第52-54页 |
3.5.2 Germancite的二维薄膜 | 第54页 |
3.6 本章小结 | 第54-57页 |
第4章 六角晶格LiZnBi中的狄拉克半金属相 | 第57-69页 |
4.1 引言 | 第57-60页 |
4.2 计算方法 | 第60页 |
4.3 应力诱导的狄拉克半金属相 | 第60-63页 |
4.4 狄拉克半金属相的表面态 | 第63-65页 |
4.5 应力调制LiZnBi的低能能级 | 第65-67页 |
4.6 本章小结 | 第67-69页 |
第5章 拓扑绝缘体与石墨烯异质结 | 第69-79页 |
5.1 引言 | 第69-70页 |
5.2 计算方法 | 第70页 |
5.3 低能有效模型 | 第70-75页 |
5.4 平均场近似 | 第75-78页 |
5.5 本章小结 | 第78-79页 |
第6章 结论 | 第79-81页 |
参考文献 | 第81-88页 |
致谢 | 第88-90页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第90页 |