| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第9-31页 |
| 1.1 石墨烯基本物理特性 | 第9-17页 |
| 1.1.1 能带结构 | 第9-10页 |
| 1.1.2 电学特性 | 第10-11页 |
| 1.1.3 光学特性 | 第11-14页 |
| 1.1.4 光电特性 | 第14-17页 |
| 1.2 石墨烯场效应晶体管 | 第17-22页 |
| 1.2.1 GFET结构与基本特性 | 第17-18页 |
| 1.2.2 GFET发展现状 | 第18-20页 |
| 1.2.3 GFET在射频领域的应用介绍 | 第20-22页 |
| 1.3 石墨烯光电探测器 | 第22-26页 |
| 1.3.1 GPD基本结构与特性 | 第22-23页 |
| 1.3.2 GPD发展现状 | 第23-26页 |
| 1.3.3 GPD潜在应用 | 第26页 |
| 1.4 从石墨烯分立器件到石墨烯集成芯片 | 第26-27页 |
| 1.5 论文课题的提出 | 第27-28页 |
| 1.6 选题意义与研究内容 | 第28-29页 |
| 1.7 论文章节安排 | 第29-31页 |
| 第2章 新型埋栅石墨烯场效应晶体管与光电探测器 | 第31-53页 |
| 2.1 石墨烯器件制作工艺 | 第31-40页 |
| 2.1.1 石墨烯转移技术及创新应用 | 第32-35页 |
| 2.1.2 石墨烯图形化 | 第35-36页 |
| 2.1.3 石墨烯电连接 | 第36-37页 |
| 2.1.4 传统GFET制作与测试结果分析 | 第37-38页 |
| 2.1.5 常用设备清单 | 第38-40页 |
| 2.2 埋栅技术的引入 | 第40-42页 |
| 2.2.1 埋栅技术发展现状 | 第40-41页 |
| 2.2.2 新型埋栅技术提出及优势 | 第41-42页 |
| 2.3 基于石墨烯埋栅的GFET | 第42-44页 |
| 2.3.1 制作工艺 | 第42-43页 |
| 2.3.2 测试结果及分析 | 第43-44页 |
| 2.4 基于重掺硅埋栅的GFET | 第44-47页 |
| 2.4.1 制作工艺 | 第44-46页 |
| 2.4.2 测试结果及分析 | 第46-47页 |
| 2.5 基于重掺硅埋栅的GPD | 第47-51页 |
| 2.5.1 制作工艺 | 第48-50页 |
| 2.5.2 测试结果及分析 | 第50-51页 |
| 2.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 第3章 新型石墨烯倍频器件 | 第53-74页 |
| 3.1 GFET转移特性分析 | 第53-56页 |
| 3.1.1 石墨烯双极性传输特性 | 第53-54页 |
| 3.1.2 多狄拉克点产生机制 | 第54-56页 |
| 3.2 基于GFET的高纯度三倍频器 | 第56-64页 |
| 3.2.1 石墨烯倍频器发展现状 | 第56-57页 |
| 3.2.2 新型三倍频器模型 | 第57-59页 |
| 3.2.3 器件制作与表征 | 第59-60页 |
| 3.2.4 I-V特性测试 | 第60-61页 |
| 3.2.5 转移曲线测试及分析 | 第61-63页 |
| 3.2.6 三倍频器性能测试及分析 | 第63-64页 |
| 3.3 基于双栅GFET的可调倍频器 | 第64-73页 |
| 3.3.1 器件模型 | 第65-66页 |
| 3.3.2 狄拉克点位置计算 | 第66-67页 |
| 3.3.3 器件制作与表征 | 第67-69页 |
| 3.3.4 器件静态特性测试及分析 | 第69-71页 |
| 3.3.5 器件动态特性测试及性能分析 | 第71-73页 |
| 3.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第4章 新型石墨烯光电混频器件 | 第74-91页 |
| 4.1 混频原理简介 | 第74-76页 |
| 4.2 GPD光电响应特性及在混频领域的应用 | 第76-79页 |
| 4.2.1 线性光响应及光电混频应用 | 第76-77页 |
| 4.2.2 非线性光响应及双光信号光电混频潜在应用 | 第77-79页 |
| 4.3 基于GPD的双光信号光电混频器 | 第79-89页 |
| 4.3.1 器件模型 | 第79-80页 |
| 4.3.2 器件制作与表征 | 第80-82页 |
| 4.3.3 GPD非线性特性测试及分析 | 第82-85页 |
| 4.3.4 下变频性能测试及分析 | 第85-87页 |
| 4.3.5 上变频性能测试及分析 | 第87-89页 |
| 4.4 本章小结 | 第89-91页 |
| 第5章 基于石墨烯的3D集成光接收机芯片 | 第91-108页 |
| 5.1 GPD与硅基IC芯片3D集成的意义 | 第92-94页 |
| 5.2 GPD与硅基IC芯片3D集成光接收机芯片 | 第94-106页 |
| 5.2.1 3D集成光接收机芯片结构 | 第94页 |
| 5.2.2 GPD制作流程和表征 | 第94-101页 |
| 5.2.3 GPD静态性能测试 | 第101-103页 |
| 5.2.4 光接收机芯片性能测试 | 第103-106页 |
| 5.3 本章小结 | 第106-108页 |
| 第6章 总结与展望 | 第108-111页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第108-109页 |
| 6.2 论文工作主要创新点 | 第109页 |
| 6.3 下一步研究工作的展望 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第121-122页 |