| 内容提要 | 第1-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| ·胶质半导体纳米晶的研究状况 | 第8-12页 |
| ·典型半导体纳米晶 | 第8-9页 |
| ·胶质半导体纳米晶的研究进展 | 第9-11页 |
| ·Pb 族半导体纳米晶的特性 | 第11-12页 |
| ·胶质半导体纳米晶的制备与表征方法 | 第12-16页 |
| ·高质量胶质纳米晶的基本要求 | 第12页 |
| ·胶质半导体纳米晶的制备方法 | 第12-14页 |
| ·胶质半导体纳米晶的基本表征方法 | 第14-16页 |
| ·红外波段胶质半导体纳米晶的典型应用 | 第16-20页 |
| ·应用于通信领域的红外半导体纳米晶 | 第16页 |
| ·基于半导体纳米晶的红外LEDs | 第16-18页 |
| ·基于红外半导体纳米晶的太阳能电池 | 第18-19页 |
| ·应用于生物医学成像的近红外半导体纳米晶 | 第19-20页 |
| ·本论文研究思路和主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 胶质半导体纳米晶的激子能量结构 | 第22-39页 |
| ·激子的能量结构 | 第22-27页 |
| ·激子能量的基本构成 | 第22-23页 |
| ·强受限下的激子能量 | 第23-25页 |
| ·弱受限下的激子能量 | 第25-26页 |
| ·量子受限能量计算的其它模型 | 第26-27页 |
| ·介电受限效应与STARK 效应 | 第27-30页 |
| ·介电受限效应 | 第27-30页 |
| ·Stark 效应 | 第30页 |
| ·激子与声子的相互作用 | 第30-39页 |
| ·概述 | 第30-32页 |
| ·激子与光学声子的作用 | 第32-38页 |
| ·激子与声学声子的作用 | 第38-39页 |
| 第3章 胶质PBSE 半导体纳米晶的合成、表征和稳定性分析 | 第39-61页 |
| ·胶质PBSE 纳米晶的合成 | 第39-41页 |
| ·合成环境与设备 | 第39-40页 |
| ·原料 | 第40页 |
| ·合成过程 | 第40-41页 |
| ·表征 | 第41-45页 |
| ·表征仪器和比对材料 | 第41页 |
| ·TEM 分析 | 第41-42页 |
| ·XRD 分析 | 第42-43页 |
| ·Abs 光谱与PL 光谱 | 第43-45页 |
| ·尺寸依赖的PBSE 纳米晶能量结构的理论计算 | 第45-51页 |
| ·球形纳米晶的EMA-FDW 模型 | 第45-48页 |
| ·PbSe 纳米晶的能级结构 | 第48-51页 |
| ·光学性质的稳定性分析 | 第51-56页 |
| ·稳定性分析实验 | 第51页 |
| ·稳定性实验现象 | 第51-54页 |
| ·稳定性分析讨论 | 第54-56页 |
| ·PBSE 纳米晶合成后TBP 再处理的作用 | 第56-61页 |
| ·实验 | 第57页 |
| ·表征与结论 | 第57-59页 |
| ·分析讨论 | 第59-61页 |
| 第4章 胶质PBSE 纳米晶禁带宽度的温度依赖性质 | 第61-76页 |
| ·概述 | 第61-62页 |
| ·禁带宽度随温度变化的实验 | 第62-63页 |
| ·PbSe 纳米晶的合成 | 第62页 |
| ·温度依赖的吸收光谱测量 | 第62-63页 |
| ·禁带宽度随温度变化的变化率 | 第63-69页 |
| ·晶格热膨胀引起体材料禁带宽度的变化 | 第63-64页 |
| ·纳米晶尺寸膨胀引起量子受限能的变化 | 第64-66页 |
| ·电子与空穴库伦作用能量的变化 | 第66-67页 |
| ·极化能量的变化 | 第67页 |
| ·激子与声子作用能量的变化 | 第67-69页 |
| ·尺寸依赖的禁带宽度随温度变化的转折点 | 第69-71页 |
| ·尺寸和温度依赖的禁带宽度 | 第71-76页 |
| 第5章 胶质PBSE 半导体纳米晶的消光系数 | 第76-88页 |
| ·概述 | 第76-77页 |
| ·半导体纳米晶的消光系数与消光截面 | 第77-80页 |
| ·消光系数与消光截面 | 第77-78页 |
| ·半导体纳米晶的消光截面 | 第78-80页 |
| ·球形半导体纳米晶的消光截面 | 第80页 |
| ·尺寸依赖的胶质PBSE 纳米晶的消光系数 | 第80-88页 |
| ·PbSe 纳米晶的合成与粒子尺寸的确定 | 第81-82页 |
| ·PbSe 纳米晶的浓度计算 | 第82-85页 |
| ·摩尔消光系数的测量 | 第85-88页 |
| 第6章 PBSE 核壳纳米晶的合成与光学性质 | 第88-109页 |
| ·概述 | 第88-90页 |
| ·PBSE/CDSE 核壳纳米晶的合成与光学性质 | 第90-96页 |
| ·PbSe/CdSe 核壳纳米晶的合成 | 第90-91页 |
| ·PbSe/CdSe 核壳纳米晶的表征 | 第91-94页 |
| ·PbSe/CdSe 核壳纳米晶的光学性质分析 | 第94-96页 |
| ·PBSE/CDSE/ZNSE 核壳纳米晶的合成与光学性质 | 第96-99页 |
| ·PbSe/CdSe/ZnSe 核壳纳米晶的合成 | 第96页 |
| ·PbSe/CdSe/ZnSe 核壳纳米晶的表征 | 第96-99页 |
| ·PbSe/CdSe/ZnSe 核壳纳米晶的光学性质分析 | 第99页 |
| ·PBSE/CDSE 核壳纳米晶能级结构的理论分析 | 第99-104页 |
| ·球形核壳纳米晶的EMA-FDW 模型 | 第99-101页 |
| ·PbSe/CdSe 核壳纳米晶的能级结构 | 第101-104页 |
| ·TBP 和NAH84 在核壳合成中的作用 | 第104-109页 |
| ·TBP 在PbSe/CdSe 纳米晶合成中的作用 | 第105-107页 |
| ·NaBH4 在PbSe/CdSe 核壳合成中的作用 | 第107-109页 |
| 第7章 结论与研究展望 | 第109-116页 |
| ·研究结论与创新点 | 第109-113页 |
| ·研究展望 | 第113-116页 |
| 参考文献 | 第116-130页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和参加科研项目 | 第130-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |
| 摘要 | 第133-138页 |
| ABSTRACT | 第138-142页 |
