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本征缺陷与Cu离子注入对单晶TiO2及ZnO磁性的影响

中文摘要第3-5页
Abstract第5-8页
主要符号对照表第12-14页
第一章 研究背景第14-49页
    1.1 引言第14-15页
    1.2 DMS常见的磁性理论模型第15-20页
        1.2.1 直接交换作用第15-16页
        1.2.2 超交换作用第16页
        1.2.3 间接交换作用与双交换作用第16-18页
        1.2.4 RKKY理论第18-19页
        1.2.5 束缚磁极化子模型第19-20页
        1.2.6 小结第20页
    1.3 DMS的研究现状第20-47页
        1.3.1 TiO_2基DMS的研究现状第21-36页
            1.3.1.1 Cu离子掺杂的影响第23-31页
            1.3.1.2 本征缺陷的影响第31-36页
            1.3.1.3 小结第36页
        1.3.2 ZnO基DMS的研究现状第36-47页
            1.3.2.1 Cu离子掺杂的影响第38-43页
            1.3.2.2 本征缺陷的影响第43-46页
            1.3.2.3 小结第46-47页
    1.4 选题意义及本文工作第47-49页
        1.4.1 选题意义第47页
        1.4.2 课题组前期工作第47-48页
        1.4.3 本文工作第48-49页
第二章 电子结构计算方法第49-61页
    2.1 引言第49-51页
    2.2 Thomas-Fermi模型第51-52页
    2.3 Hohenberg-Kohn定理第52-53页
        2.3.1 第一定理第52-53页
        2.3.2 第二定理第53页
    2.4 Kohn-Sham方法第53-54页
    2.5 交换关联方法第54-55页
        2.5.1 局域梯度近似LDA第54页
        2.5.2 广义梯度近似GGA第54-55页
    2.6 DFT数值计算方法第55-56页
    2.7 DFT的局限与修正第56-58页
    2.8 DFT+U在TiO_2和ZnO基计算中的使用第58-60页
    2.9 小结第60-61页
第三章 本征缺陷与Cu离子注入对单晶金红石TiO_2磁性的影响..第61-84页
    3.1 本征缺陷对单晶TiO_2磁性的影响第61-75页
        3.1.1 引言第61页
        3.1.2 计算方法与模型第61-62页
        3.1.3 计算结果与讨论第62-73页
            3.1.3.1 Vo、V_(Ti)、Ti_i以及O_i本征缺陷第63-70页
            3.1.3.2 O_(com)、Ti_(com)混合缺陷第70-73页
        3.1.4 小结第73-75页
    3.2 Cu离子注入对单晶TiO_2磁性的影响第75-84页
        3.2.1 引言第75页
        3.2.2 计算方法与模型第75-76页
        3.2.3 计算结果与讨论第76-82页
        3.2.4 小结第82-84页
第四章 本征缺陷与Cu离子注入对单晶纤锌矿ZnO磁性的影响..第84-106页
    4.1 本征缺陷对单晶ZnO磁性的影响第84-96页
        4.1.1 引言第84页
        4.1.2 计算方法与模型第84-85页
        4.1.3 模拟结果与分析第85-95页
            4.1.3.1 VO及其空位团缺陷第86-87页
            4.1.3.2 VZn及其复合缺陷第87-91页
            4.1.3.3 间隙缺陷第91-93页
            4.1.3.4 反位缺陷第93-95页
        4.1.4 小结第95-96页
    4.2 Cu离子注入对单晶ZnO磁性的影响第96-106页
        4.2.1 引言第96页
        4.2.2 实验和计算方法第96-97页
        4.2.3 实验结果及初步分析第97页
        4.2.4 计算结果及分析第97-104页
        4.2.5 小结第104-106页
第五章 总结与展望第106-109页
    5.1 工作总结第106-107页
    5.2 主要创新点第107-108页
    5.3 工作展望第108-109页
参考文献第109-120页
在学期间的研究成果第120-121页
致谢第121页

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