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半导体晶面诱导电荷空间分离机理的理论研究

摘要第8-9页
Abstract第9-10页
第一章 绪论第11-28页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 半导体光解水的过程第12-14页
    1.3 电荷分离与现有的机理第14-19页
    1.4 本论文的主要工作第19-21页
    参考文献第21-28页
第二章 理论部分第28-43页
    2.1 量子化学计算方法第28-35页
        2.1.1 量子化学背景第28-29页
        2.1.2 密度泛函理论第29-33页
        2.1.3 广义梯度近似(generalized gradient approximation,GGA)第33-34页
        2.1.4 DFT+U与HSE06第34-35页
    2.2 固体物理基本概念第35-41页
        2.2.1 倒格矢第35页
        2.2.2 布里渊区第35页
        2.2.3 布洛赫函数第35-36页
        2.2.4 截断能第36-37页
        2.2.5 赝势第37页
        2.2.6 有效质量第37-39页
        2.2.7 slab模型的构建第39-41页
    参考文献第41-43页
第三章 表面异质结与能带各向异性对电荷空间分离的理论研究第43-74页
    3.1 引言第43页
    3.2 计算方法第43-44页
    3.3 结果与讨论第44-69页
        3.3.1 TiO_2(锐钛矿)第44-52页
        3.3.2 Cu_2WS_4第52-56页
        3.3.3 SrTiO_3第56-60页
        3.3.4 水吸附对表面异质结的影响第60-62页
        3.3.5 有效质量与体相能带第62-69页
    3.4 结论第69-70页
    参考文献第70-74页
致谢第74-75页
硕士期间取得的科研成果第75页

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