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SOI基栅控横向PIN蓝紫光探测器的理论建模与工艺研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-18页
    1.1 课题研究背景第10-11页
    1.2 国内外研究现状第11-15页
    1.3 课题研究意义第15-16页
    1.4 论文主要内容与结构第16-18页
第二章 基本原理分析第18-25页
    2.1 光电效应第18-19页
    2.2 光电探测器的原理第19-20页
        2.2.1 PIN型光电二极管第19页
        2.2.2 反向抽取理论第19-20页
    2.3 LPIN PD-GTE工作原理第20-21页
    2.4 光电二极管性能参数第21-23页
        2.4.1 量子效率和响应度第21-22页
        2.4.2 暗电流与噪声第22页
        2.4.3 结电容与响应速度第22-23页
        2.4.4 频率特性与温度特性第23页
    2.5 SILVACO软件第23-24页
    2.6 本章小结第24-25页
第三章 模型构建与验证第25-42页
    3.1 栅极电压模型构建第25-26页
    3.2 暗电流模型构建第26-32页
    3.3 光电流模型构建第32-36页
    3.4 数值计算与结果分析第36-41页
        3.4.1 栅极电压第37-38页
        3.4.2 暗电流第38-39页
        3.4.3 光电流第39-40页
        3.4.4 信噪比第40-41页
    3.5 本章小结第41-42页
第四章 工艺实现与特性研究第42-47页
    4.1 工艺仿真第42-45页
    4.2 特性研究第45-46页
    4.3 本章小结第46-47页
第五章 温度特性研究第47-54页
    5.1 温度特性模型构建第47-50页
    5.2 温度特性研究第50-53页
        5.2.1 栅极电压模型验证第50-51页
        5.2.2 温度特性研究第51-53页
    5.3 本章小结第53-54页
第六章 总结与展望第54-56页
参考文献第56-60页
致谢第60-61页
附录A 攻读硕士学位期间所发表的论文第61-62页
附录B 计算机模拟仿真软件第62-67页

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