基于局部基片集成人工介质（L-SIAD）的微波谐振腔研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第7-10页 |
| ·研究背景及意义 | 第7-8页 |
| ·国内外研究概况 | 第8-9页 |
| ·本课题的主要工作 | 第9-10页 |
| 2 微带传输线的结构与特性 | 第10-21页 |
| ·微带线的基本结构 | 第10-11页 |
| ·微带线的特性阻抗和相速 | 第11-13页 |
| ·微带线的损耗和Q值 | 第13-20页 |
| ·微带线的损耗 | 第13-19页 |
| ·微带线的Q值 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 3 局部基片集成人工介质的结构与特性 | 第21-48页 |
| ·局部基片集成人工介质基本结构 | 第21-22页 |
| ·局部基片集成人工介质结构特性分析 | 第22-24页 |
| ·L-SIAD结构的介质损耗 | 第24-40页 |
| ·介质损耗的提取方法 | 第24-29页 |
| ·L-SIAD结构的介质损耗 | 第29-36页 |
| ·新型L-SIAD结构(加焊盘)的介质损耗 | 第36-40页 |
| ·L-SIAD结构的导体损耗 | 第40-47页 |
| ·导体损耗的提取方法 | 第40-44页 |
| ·新型L-SIAD结构的导体损耗 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 局部基片集成人工介质结构应用于硅基集成电路 | 第48-56页 |
| ·硅基集成电路概述 | 第48-49页 |
| ·基于L-SIAD结构的硅基集成电路损耗 | 第49-55页 |
| ·L-SIAD集成电路的介质损耗 | 第49-53页 |
| ·L-SIAD集成电路的导体损耗 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 5 局部基片集成人工介质结构应用于微波谐振腔 | 第56-74页 |
| ·概述 | 第56页 |
| ·L-SIAD结构环形谐振腔的特性 | 第56-63页 |
| ·L-SIAD结构对环形谐振腔的影响 | 第57-61页 |
| ·L-SIAD结构环形谐振腔的谐振模式 | 第61-63页 |
| ·L-SIAD结构开环谐振腔的特性 | 第63-70页 |
| ·L-SIAD结构开环谐振腔的谐振特性 | 第63-66页 |
| ·开口位置对L-SIAD结构开环谐振腔的影响 | 第66-70页 |
| ·L-SIAD结构带通滤波器 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 结论和工作展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
