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CMOS忆阻器混合电路可靠性设计

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第13-18页
    1.1 课题的研究背景和研究意义第13-14页
    1.2 国内外研究现状第14-16页
    1.3 本文主要工作与组织结构第16-17页
    1.4 小结第17-18页
第2章 忆阻器理论模型及SPICE仿真模型第18-27页
    2.1 忆阻器的特性第18-19页
    2.2 忆阻器的三类材料模型第19-20页
    2.3 HP忆阻器工作原理第20-24页
    2.4 忆阻器SPICE仿真模型第24-26页
    2.5 小结第26-27页
第3章 CMOS忆阻器混合电路的应用第27-36页
    3.1 RRAM第27-32页
        3.1.1 RRAM读写操作第27-29页
        3.1.2 RRAM结构及存在的问题第29-31页
        3.1.3 RRAM耐久性退化及物理起因第31-32页
    3.2 MRL逻辑门电路第32-35页
        3.2.1 MRL与门和或门第33-34页
        3.2.2 基于MRL门的与非和或非门第34-35页
    3.3 小结第35-36页
第4章 基于RRAM的可靠性设计第36-48页
    4.1 RRAM的故障分析第36-37页
    4.2 RRAM自修复设计方案第37-40页
        4.2.1 ECC模块第37-38页
        4.2.2 自修复(Self-repair)模块第38-40页
    4.3 细粒度重配置(fine-grained remapping)第40-41页
    4.4 实验仿真第41-46页
        4.4.1 错误率估算第42-45页
        4.4.2 实验结果第45-46页
    4.5 小结第46-48页
第5章 基于MRL逻辑门电路可靠性设计第48-57页
    5.1 MRL逻辑门的可靠性分析第48-49页
    5.2 MRL逻辑门故障分析第49-53页
    5.3 定期检测修复方案第53-54页
    5.4 仿真结果第54-56页
    5.5 小结第56-57页
结论第57-59页
参考文献第59-63页
附录A 攻读硕士学位期间发表的论文和参加的项目第63-64页
致谢第64页

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