| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 锑化物材料 | 第9-17页 |
| 1.2.1 GaSb材料性质 | 第9-12页 |
| 1.2.2 InAs/GaSb超晶格 | 第12-14页 |
| 1.2.3 国内外发展现状 | 第14-17页 |
| 1.3 本论文选题依据和主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 MBE外延技术及测试方法 | 第19-30页 |
| 2.1 分子束外延技术 | 第19-24页 |
| 2.1.1 分子束外延生长系统 | 第19-21页 |
| 2.1.2 分子束外延沉积过程及生长机制 | 第21-22页 |
| 2.1.3 生长条件对GaSb/GaAs和InAs/GaAs薄膜质量的影响 | 第22-24页 |
| 2.2 测试方法及模拟软件的介绍 | 第24-29页 |
| 2.2.1 双晶X射线衍射谱测量技术(XRD) | 第24-26页 |
| 2.2.2 XRD摇摆曲线模拟软件介绍 | 第26-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 GaSb的异质外延生长及晶体结构表征 | 第30-37页 |
| 3.1 衬底的选择及临界厚度的计算 | 第30-33页 |
| 3.1.1 衬底的选择 | 第30-31页 |
| 3.1.2 GaAs衬底上临界厚度的计算 | 第31-33页 |
| 3.2 GaSb异质外延薄膜生长及晶体结构分析 | 第33-36页 |
| 3.2.1 GaSb异质外延的生长 | 第33-35页 |
| 3.2.2 GaSb异质外延的模拟与测试 | 第35-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 GaAs基InAs/GaSb超晶格材料的生长及测试表征 | 第37-49页 |
| 4.1 XRD软件模拟及超晶格应变能的计算 | 第37-39页 |
| 4.1.1 XRD模拟软件模拟结构中存在的应力 | 第37-38页 |
| 4.1.2 超晶格应变能的计算 | 第38-39页 |
| 4.2 不同生长条件的InAs/GaSb超晶格的生长 | 第39-40页 |
| 4.3 InAs/GaSb超晶格的XRD模拟与测试 | 第40-48页 |
| 4.3.1 不同超晶格结构的XRD模拟与实测分析 | 第40-45页 |
| 4.3.2 周期厚度对超晶格质量的影响 | 第45-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第56页 |
