| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 二维层状纳米材料概述 | 第12-17页 |
| 1.1.1 石墨烯 | 第12-14页 |
| 1.1.2 六方氮化硼 | 第14-15页 |
| 1.1.3 过渡金属硫族化合物 | 第15-16页 |
| 1.1.4 黑磷 | 第16-17页 |
| 1.2 二硫化钼纳米材料的性质 | 第17-20页 |
| 1.3 二硫化钼纳米材料的制备 | 第20-22页 |
| 1.4 二硫化钼的器件应用 | 第22-28页 |
| 1.4.1 场效应晶体管 | 第22-23页 |
| 1.4.2 光电晶体管 | 第23-25页 |
| 1.4.3 传感器 | 第25-26页 |
| 1.4.4 逻辑电路 | 第26-27页 |
| 1.4.5 太阳能电池 | 第27-28页 |
| 1.4.6 锂离子电池 | 第28页 |
| 1.5 二维纳米材料异质结构筑及光电特性 | 第28-29页 |
| 1.6 本文选题意义及主要研究内容 | 第29-32页 |
| 第二章 少层MoS_2薄膜制备及光学性质研究 | 第32-44页 |
| 2.1 少层MoS_2薄膜的制备 | 第32-35页 |
| 2.1.1 试剂及仪器 | 第32-34页 |
| 2.1.2 制备过程 | 第34-35页 |
| 2.1.3 生长机理 | 第35页 |
| 2.2 少层MoS_2薄膜晶体结构表征 | 第35-36页 |
| 2.3 少层MoS_2薄膜的形貌表征 | 第36-38页 |
| 2.4 少层MoS_2薄膜厚度表征 | 第38-39页 |
| 2.5 少层MoS_2薄膜光学性质研究 | 第39-43页 |
| 2.5.1 拉曼光谱分析 | 第39-41页 |
| 2.5.2 光致发光光谱分析 | 第41-43页 |
| 2.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 少层MoS_2薄膜FET的制备及电学性质研究 | 第44-56页 |
| 3.1 FET的基本结构及工作原理 | 第44-45页 |
| 3.1.1 FET的分类 | 第44页 |
| 3.1.2 FET的基本结构 | 第44-45页 |
| 3.1.3 FET的工作原理 | 第45页 |
| 3.2 少层MoS_2薄膜FET的结构设计 | 第45-46页 |
| 3.3 实验原料及仪器 | 第46-47页 |
| 3.4 少层MoS_2薄膜FET的制备 | 第47-53页 |
| 3.4.1 电子束光刻法制备MoS_2薄膜FET工艺流程 | 第47-50页 |
| 3.4.2 紫外光刻法制备MoS_2薄膜FET工艺流程 | 第50-53页 |
| 3.5 少层MoS_2薄膜FET电学性质研究 | 第53-55页 |
| 3.5.1 输出特性及转移特性曲线分析 | 第53-54页 |
| 3.5.2 器件电学参数的计算与分析 | 第54-55页 |
| 3.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 MoS_2薄膜FET的光电性质研究 | 第56-66页 |
| 4.1 光电探测机理研究 | 第56-57页 |
| 4.1.1 FET基光电探测器的基本工作原理 | 第56页 |
| 4.1.2 MoS_2光电探测的主要机理 | 第56-57页 |
| 4.2 光电探测用MoS_2薄膜FET的制备及电学参数分析 | 第57-59页 |
| 4.2.1 光电晶体管结构设计及制备 | 第57-58页 |
| 4.2.2 光电晶体管基本电学参数分析 | 第58-59页 |
| 4.3 MoS_2薄膜FET光电性质研究 | 第59-64页 |
| 4.3.1 不同光照功率下器件输出特性曲线对比分析 | 第59-60页 |
| 4.3.2 光照功率对器件光电性能的影响 | 第60-62页 |
| 4.3.3 栅压对器件光电性能的影响 | 第62-63页 |
| 4.3.4 器件光开关特性分析 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 MoS_2异质结FET光电性质研究 | 第66-82页 |
| 5.1 MoS_2/WS_2异质结的制备及性质研究 | 第66-72页 |
| 5.1.1 MoS_2/WS_2异质结制备 | 第66-67页 |
| 5.1.2 MoS_2/WS_2异质结形貌分析 | 第67-69页 |
| 5.1.3 MoS_2/WS_2异质结组分分析 | 第69-71页 |
| 5.1.4 MoS_2/WS_2异质结光学性质分析 | 第71-72页 |
| 5.2 MoS_2/WS_2异质结FET光电性质研究 | 第72-75页 |
| 5.2.1 不同光照功率下器件输出特性曲线对比分析 | 第73页 |
| 5.2.2 MoS_2/WS_2异质结与单一MoS_2光电性质对比分析 | 第73-75页 |
| 5.3 MoS_2/MoO_3异质结FET光电性质研究 | 第75-78页 |
| 5.3.1 不同光照功率下器件输出特性曲线对比分析 | 第75-76页 |
| 5.3.2 沉积MoO_3前后器件光电性能对比分析 | 第76-77页 |
| 5.3.3 MoS_2/MoO_3异质结光电特性机理分析 | 第77-78页 |
| 5.4 沉积温度对器件光电性质的影响研究 | 第78-80页 |
| 5.4.1 沉积温度对器件光电性能影响分析 | 第78-79页 |
| 5.4.2 沉积温度对器件形貌影响分析 | 第79-80页 |
| 5.5 本章小结 | 第80-82页 |
| 第六章 MoS_2薄膜FET葡萄糖生物传感性能研究 | 第82-92页 |
| 6.1 生物检测前准备工作 | 第82-84页 |
| 6.1.1 生物检测所需试剂配制 | 第83页 |
| 6.1.2 少层MoS_2薄膜厚度分析 | 第83-84页 |
| 6.1.3 葡萄糖溶液测试环境设计及制做 | 第84页 |
| 6.2 生物传感用MoS_2薄膜FET电学性能分析 | 第84-85页 |
| 6.3 MoS_2薄膜FET葡萄糖生物传感性能研究 | 第85-90页 |
| 6.3.1 不同葡萄糖浓度环境中器件输出特性曲线对比分析 | 第86-87页 |
| 6.3.2 未知浓度葡萄糖溶液检测 | 第87-88页 |
| 6.3.3 传感器的灵敏度及检测限测定 | 第88-90页 |
| 6.4 本章小结 | 第90-92页 |
| 第七章 总结与展望 | 第92-96页 |
| 7.1 总结 | 第92-94页 |
| 7.2 展望 | 第94-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-112页 |
| 博士在读期间发表论文、专利及获奖情况 | 第112页 |
