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阵列化纳米等离子体激光器关键技术研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 研究工作背景第11-16页
        1.1.1 研究目的第11-12页
        1.1.2 研究意义第12页
        1.1.3 国内外发展现状第12-16页
    1.2 氧化锌制备及加工工艺研究第16-17页
        1.2.1 磁控溅射法第16页
        1.2.2 分子束外延法第16页
        1.2.3 模板合成法第16-17页
        1.2.4 水热法第17页
        1.2.5 化学气相沉积法第17页
    1.3 本文主要工作与结构安排第17-18页
    1.4 小结第18-19页
第二章 纳米等离子体激光器理论及模拟仿真第19-29页
    2.1 半导体激光器原理第19-22页
        2.1.1 能带理论第19页
        2.1.2 量子跃迁与受激辐射第19-20页
        2.1.3 激光器谐振腔的尺寸极限第20-22页
    2.2 表面等离子体与光场互作用机理第22-25页
        2.2.1 表面等离子体基本原理第22-24页
        2.2.2 半导体纳米线-金属膜层谐振腔的模式增益和光限制因子第24-25页
    2.3 基于表面等离子体光学谐振腔波导仿真第25-28页
        2.3.1 建模分析第25-26页
        2.3.2 仿真结果及分析第26-27页
        2.3.3 纳米线阵列光场叠加仿真第27-28页
    2.4 小结第28-29页
第三章 氧化锌异质结纳米线阵列的生长工艺研究第29-40页
    3.1 氧化锌掺杂问题第29-30页
        3.1.1 ZnO掺杂原理第29页
        3.1.2 ZnO的自然掺杂及p型掺杂第29-30页
    3.2 氧化锌纳米线制备第30-38页
        3.2.1 n型GaN衬底上生长p型ZnO纳米线工艺研究第31-35页
            3.2.1.1 衬底距离锌源位置的距离对纳米线形貌的影响第31-32页
            3.2.1.2 氮气和氧气比例关系对纳米线形貌影响第32-35页
            3.2.1.3 升温速率对纳米线形貌影响第35页
        3.2.2 p型GaN衬底上生长n型ZnO纳米线工艺研究第35-37页
        3.2.3 氧化锌成膜原因分析第37页
        3.2.4 n-ZnO/p-GaN结构的pn结载流子测试第37-38页
    3.3 小结第38-40页
第四章 纳米等离子体激光器结构设计及制作第40-46页
    4.1 规则阵列氧化锌纳米线的制备第40-43页
        4.1.1 电子束光刻工艺制备规则圆形孔洞阵列第41-42页
        4.1.2 紫外光刻工艺规制备圆形孔洞阵列第42-43页
        4.1.3 规则阵列衬底上制备氧化锌纳米线第43页
    4.2 纳米等离子体激光器制作流程第43-45页
    4.3 小结第45-46页
第五章 纳米等离子体激光器光电特性研究第46-60页
    5.1 测试平台及仪器设备第46-47页
        5.1.1 光谱测试平台第46-47页
        5.1.2 电激励测试平台第47页
    5.2 光泵浦纳米等离子体激光器的激光特性研究第47-49页
    5.3 电致发光激光参数分析第49-59页
        5.3.1 帕尔贴制冷元件第50-51页
        5.3.2 I-V特性曲线第51-52页
        5.3.3 电泵浦发光光谱测试第52-53页
        5.3.4 电泵浦发光的电流-功率曲线第53-54页
        5.3.5 电泵浦发光偏振特性测试第54-55页
        5.3.6 帕尔贴元件制冷效果对比第55-56页
        5.3.7 平凸透镜光束合成准直测试第56-59页
    5.4 小结第59-60页
第六章 总结与展望第60-62页
    6.1 本论文主要贡献第60-61页
    6.2 下一步工作展望第61-62页
致谢第62-63页
参考文献第63-66页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第66-67页

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