| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第15-38页 |
| 1.1 前言 | 第15页 |
| 1.2 记忆器件制备和结构 | 第15-17页 |
| 1.3 有机记忆器件的分类 | 第17-22页 |
| 1.3.1 电流-电压特征曲线 | 第17-18页 |
| 1.3.2 记忆效应 | 第18页 |
| 1.3.3 易失型记忆器件 | 第18-19页 |
| 1.3.4 非易失型记忆器件 | 第19-22页 |
| 1.4 记忆机制 | 第22-27页 |
| 1.4.1 电荷转移 | 第22-23页 |
| 1.4.2 构象变化 | 第23-24页 |
| 1.4.3 氧化还原机制 | 第24-25页 |
| 1.4.4 空间电荷和陷阱 | 第25-26页 |
| 1.4.5 丝状传导 | 第26-27页 |
| 1.4.6 其他记忆机理 | 第27页 |
| 1.5 可擦写记忆行为的聚合物 | 第27-33页 |
| 1.5.1 带有咔唑基团的聚合物 | 第31-33页 |
| 1.5.2 用氧化石墨烯修饰的聚合物 | 第33页 |
| 1.6 高分子液晶 | 第33-35页 |
| 1.6.1 液晶的分类 | 第33-35页 |
| 1.6.2 液晶的表征 | 第35页 |
| 1.7 本论文的研究内容 | 第35-37页 |
| 1.7.1 咔唑 | 第36页 |
| 1.7.2 苝酰亚胺衍生物 | 第36页 |
| 1.7.3 氧化石墨烯 | 第36-37页 |
| 1.8 本论文的创新点 | 第37-38页 |
| 第二章 侧链含苝酰亚胺和咔唑基聚硅氧烷的合成与表征 | 第38-56页 |
| 2.1 引言 | 第38页 |
| 2.2 实验部分 | 第38-55页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第38-40页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第40页 |
| 2.2.3 实验方法及步骤 | 第40-55页 |
| 2.2.3.1 咔唑有机硅基单体的合成与表征 | 第40-48页 |
| 2.2.3.2 花酰亚胺有机硅基单体的合成与表征 | 第48-50页 |
| 2.2.3.3 花酰亚胺和咔唑的有机硅基均聚和交替共聚物的合成 | 第50-55页 |
| 2.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第三章 侧链含咔唑基与苝酰亚胺交替共聚硅氧烷的性能研究 | 第56-71页 |
| 3.1 引言 | 第56页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第56-69页 |
| 3.2.1 表征方法 | 第56-57页 |
| 3.2.2 聚合物电存储器件的制备 | 第57-58页 |
| 3.2.3 电流 电压测试 | 第58-62页 |
| 3.2.4 紫外可见光测试 | 第62-64页 |
| 3.2.5 荧光发射光谱 | 第64-66页 |
| 3.2.6 电化学测试 | 第66-68页 |
| 3.2.7 原子力扫描显微镜 | 第68-69页 |
| 3.3 本章小结 | 第69-71页 |
| 第四章 水溶性液晶与氧化石墨烯复合物的制备与性质 | 第71-90页 |
| 4.1 引言 | 第71页 |
| 4.2 实验部分 | 第71-77页 |
| 4.2.1 实验原料 | 第71-72页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第72-73页 |
| 4.2.3 实验方法及步骤 | 第73-77页 |
| 4.2.3.1 酸化N,N-双乙胺-3,4,9,10-四羧酸二酰亚胺的合成 | 第73-76页 |
| 4.2.3.2 氧化石墨烯的合成 | 第76-77页 |
| 4.2.3.3 酸化N,N-双乙胺-3,4,9,10-四羧酸二酰亚胺与氧化石墨烯的共混 | 第77页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第77-88页 |
| 4.3.1 表征方法 | 第77-79页 |
| 4.3.2 偏光显微镜 | 第79-82页 |
| 4.3.3 X射线衍射仪 | 第82-84页 |
| 4.3.4 热重分析测试 | 第84-85页 |
| 4.3.5 紫外可见光吸收光谱 | 第85-86页 |
| 4.3.6 荧光光谱 | 第86-87页 |
| 4.3.7 电流-电压测试 | 第87-88页 |
| 4.4 本章小结 | 第88-90页 |
| 第五章 结论 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-99页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 作者和导师简介 | 第103-104页 |
| 附件 | 第104-105页 |
