| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 侧向光伏效应 | 第11-20页 |
| 1.2.1 侧向光伏效应概述 | 第11页 |
| 1.2.3 侧向光伏理论研究进展 | 第11-16页 |
| 1.2.4 侧向光伏效应研究现状 | 第16-19页 |
| 1.2.5 侧向光伏效应的应用 | 第19-20页 |
| 1.3 NiSe_2简介 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文研究内容及研究目的 | 第21-23页 |
| 1.4.1 主要研究内容 | 第21-22页 |
| 1.4.2 研究目的 | 第22-23页 |
| 第2章 NiSe_2/p-Si异质结侧向光伏性质的研究 | 第23-33页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 NiSe_2薄膜制备 | 第23-24页 |
| 2.3 NiSe_2/p-Si异质结侧向光伏效应的位置依赖性研究 | 第24-29页 |
| 2.3.1 NiSe_2/p-Si异质结侧向光伏位置敏感度的研究 | 第25-26页 |
| 2.3.2 NiSe_2/p-Si侧向光伏的形成机理 | 第26-29页 |
| 2.4 NiSe_2/p-Si异质结侧向光伏效应的光伏响应特性的研究 | 第29-31页 |
| 2.4.1 NiSe_2/p-Si异质结光伏弛豫时间的研究 | 第29-30页 |
| 2.4.2 NiSe_2/p-Si异质结LPE快速响应的机理 | 第30-31页 |
| 2.5 小结 | 第31-33页 |
| 第3章 NiSe_2/p-Si异质结侧向光伏稳定性的研究 | 第33-39页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 NiSe_2/p-Si异质结电输运性质的研究 | 第33-35页 |
| 3.2.1 NiSe_2/p-Si异质结纵向电输运性质的研究 | 第33-34页 |
| 3.2.2 NiSe_2/p-Si异质结横向电输运性质的研究 | 第34-35页 |
| 3.3 NiSe_2/p-Si异质结侧向光伏稳定性的研究 | 第35-37页 |
| 3.3.1 NiSe_2/p-Si异质结侧向光伏位置敏感度稳定性的研究 | 第35-36页 |
| 3.3.2 NiSe_2/p-Si异质结侧向光伏弛豫时间稳定性的研究 | 第36-37页 |
| 3.4 小结 | 第37-39页 |
| 第4章 NiSe_2/SiC异质结侧向光伏的研究 | 第39-52页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 NiSe_2/SiC薄膜制备 | 第39-41页 |
| 4.3 NiSe_2/SiC异质结侧向光伏效应的位置依赖性研究 | 第41-47页 |
| 4.3.1 NiSe_2/SiC异质结侧向光伏位置敏感度的研究 | 第42-45页 |
| 4.3.2 NiSe_2/SiC异质结侧向光伏形成机理 | 第45-47页 |
| 4.4 NiSe_2/SiC异质结侧向光伏效应的光伏响应特性研究 | 第47-48页 |
| 4.5 NiSe_2/SiC异质结侧向光伏稳定性的研究 | 第48-49页 |
| 4.6 NiSe_2/p-Si与NiSe_2/SiC异质结光伏差异性的机理讨论 | 第49-50页 |
| 4.6.1 NiSe_2/p-Si与NiSe_2/SiC异质结位置敏感度差异性的机理讨论 | 第49-50页 |
| 4.6.2 NiSe_2/p-Si与NiSe_2/SiC异质结弛豫时间差异性的机理讨论 | 第50页 |
| 4.7 小结 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
