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关于两能隙超导体NbSe2和TlNi2Se2电磁性质的理论研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
绪论第9-12页
第1章 超导的基本知识第12-18页
    1.1 超导的基本特性第12-15页
        1.1.1 零电阻效应第12页
        1.1.2 迈斯纳效应第12-13页
        1.1.3 临界磁场H_c和临界电流I_c第13-14页
        1.1.4 同位素效应第14-15页
        1.1.5 约瑟夫森效应第15页
    1.2 超导的分类第15-17页
        1.2.1 按照磁化特征分类第16-17页
        1.2.2 按照临界温度分类第17页
    1.3 本章小结第17-18页
第2章 超导理论第18-27页
    2.1 二流体模型第18页
    2.2 伦敦方程第18-20页
    2.3 BCS理论第20-22页
    2.4 Ginzburg-Landau理论第22-26页
        2.4.1 单带Ginzburg-Landau理论第22-24页
        2.4.2 两带Ginzburg-Landau理论第24-26页
    2.5 本章小结第26-27页
第3章 上临界磁场的计算第27-39页
    3.1 NbSe_2和TlNi_2Se_2的晶体结构与制备方法第27-29页
    3.2 临界温度的计算第29页
    3.3 上临界磁场的计算第29-32页
    3.4 GL理论参数的选取第32页
    3.5 NbSe_2的上临界磁场第32-34页
    3.6 TlNi_2Se_2的上临界磁场第34-38页
    3.7 本章小结第38-39页
第4章 结论与展望第39-40页
参考文献第40-42页
附录一第42-44页
附录二第44-46页
附录三第46-47页
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果第47-48页
致谢第48-49页
作者简介第49页

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