| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 致冷技术的发展 | 第11页 |
| 1.2 电卡致冷 | 第11-16页 |
| 1.2.1 电卡效应致冷工作原理 | 第12-13页 |
| 1.2.2 电卡效应的物理意义 | 第13-14页 |
| 1.2.3 电卡效应的测量方法 | 第14页 |
| 1.2.4 电卡效应的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 反铁电材料 | 第16-19页 |
| 1.3.1 PbZrO_3基反铁电体的结构 | 第16-18页 |
| 1.3.2 反铁电体的应用 | 第18页 |
| 1.3.3 反铁电材料的电卡效应 | 第18-19页 |
| 1.4 论文研究内容 | 第19-21页 |
| 2 反铁电厚膜的制备工艺及其性能表征 | 第21-29页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 sol-gel 法制备反铁电厚膜的工艺流程 | 第21-26页 |
| 2.2.1 实验所用原材料 | 第21-22页 |
| 2.2.2 实验所用仪器设备 | 第22-23页 |
| 2.2.3 LaNiO3底电极的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.4 sol-gel 法制备反铁电厚膜的工艺流程 | 第24-26页 |
| 2.3 sol-gel 法制备反铁电厚膜的结构表征及性能测试 | 第26-29页 |
| 2.3.1 显微结构分析 | 第26页 |
| 2.3.2 电性能测试 | 第26-27页 |
| 2.3.3 电卡效应测试 | 第27-28页 |
| 2.3.4 漏电流性能 | 第28-29页 |
| 3 PVP 改性的反铁电厚膜结构与致冷行为研究 | 第29-36页 |
| 3.1 PVP 改性的(Pb_0.97La_0.02)(Zr_0.75Sn_0.18Ti_0.07)O_3厚膜结构与致冷行为 | 第29-35页 |
| 3.1.1 PVP 改性的 PLZST 2/75/18/7 反铁电厚膜显微结构 | 第29-30页 |
| 3.1.2 PVP 改性的 PLZST 2/75/18/7 反铁电厚膜的介电性能 | 第30-32页 |
| 3.1.3 PVP 改性的 PLZST 2/75/18/7 反铁电厚膜致冷行为的研究 | 第32-35页 |
| 3.1.4 PVP 改性的 PLZST 2/75/18/7 反铁电厚膜漏电流性能研究 | 第35页 |
| 3.2 小结 | 第35-36页 |
| 4 组分掺杂及组分梯度结构对反铁电厚膜结构与致冷行为的影响 | 第36-61页 |
| 4.1 Pb_(1-3x/2)La_x(Zr_0.85Ti_0.15)O_3反铁电厚膜结构与致冷行为 | 第36-43页 |
| 4.1.1 Pb_(1-3x/2)La_x(Zr_0.85Ti_0.15)O_3反铁电厚膜显微结构的研究 | 第36-38页 |
| 4.1.2 Pb_(1-3x/2)La_x(Zr_0.85Ti_0.15)O_3反铁电厚膜介电性能的研究 | 第38-40页 |
| 4.1.3 Pb_(1-3x/2)La_x(Zr_0.85Ti_0.15)O_3反铁电厚膜电卡效应致冷行为的研究 | 第40-42页 |
| 4.1.4 Pb_(1-3x/2)La_x(Zr_0.85Ti_0.15)O_3反铁电厚膜的漏电流性能研究 | 第42-43页 |
| 4.2 Pb_0.97La_0.02(Zr_(0.95-x)Sn_xTi_0.05)O_3反铁电厚膜结构及致冷行为 | 第43-51页 |
| 4.2.1 Pb_0.97La_0.02(Zr_(0.95-x)Sn_xTi_0.05)O_3反铁电厚膜的显微结构 | 第44页 |
| 4.2.2 Pb_0.97La_0.02(Zr_(0.95-x)Sn_xTi_0.05)O_3反铁电厚膜的介电性能 | 第44-47页 |
| 4.2.3 Pb_0.97La_0.02(Zr_(0.95-x)Sn_xTi_0.05)O_3反铁电厚膜电卡效应致冷行为的研究 | 第47-50页 |
| 4.2.4 Pb_0.97La_0.02(Zr_(0.95-x)Sn_xTi_0.05)O_3反铁电厚膜漏电流性能研究 | 第50-51页 |
| 4.3 Pb_(1-3x/2)La_xZr_0.85Ti_0.15O_3组分梯度结构反铁电厚膜的结构及致冷行为 | 第51-59页 |
| 4.3.1 Pb_(1-3x/2)La_xZr_0.85Ti_0.15O_3组分梯度反铁电厚膜的显微结构 | 第52页 |
| 4.3.2 Pb_(1-3x/2)La_xZr_0.85Ti_0.15O_3组分梯度反铁电厚膜的介电性能 | 第52-55页 |
| 4.3.3 Pb_(1-3x/2)La_xZr_0.85Ti_0.15O_3组分梯度反铁电厚膜的致冷行为 | 第55-59页 |
| 4.3.4 Pb_(1-3x/2)La_xZr_0.85Ti_0.15O_3组分梯度反铁电厚膜漏电流行为 | 第59页 |
| 4.4 小结 | 第59-61页 |
| 5 氧化物缓冲层和生长取向对反铁电厚膜结构与致冷行为的影响 | 第61-80页 |
| 5.1 氧化物缓冲层对 Pb_0.97La_0.02(Zr_0.57Sn_0.38Ti_0.05)O_3反铁电厚膜结构及致冷行为的影响 | 第61-70页 |
| 5.1.1 氧化物缓冲层对 PLZST 2/57/38/5 反铁电厚膜显微结构的影响 | 第63-64页 |
| 5.1.2 氧化物缓冲层对 PLZST 2/57/38/5 反铁电厚膜介电性能的影响 | 第64-67页 |
| 5.1.3 氧化物缓冲层对 PLZST 2/57/38/5 反铁电厚膜致冷行为的影响 | 第67-69页 |
| 5.1.4 氧化物缓冲层对 PLZST 2/57/38/5 反铁电厚膜的漏电流性能研究 | 第69-70页 |
| 5.2 取向对 Pb_0.97La_0.02(Zr_0.73Sn_0.22Ti_0.05)O_3反铁电厚膜致冷行为的影响 | 第70-79页 |
| 5.2.1 生长取向对 PLZST 2/73/22/5 反铁电厚膜的显微结构的影响 | 第71-72页 |
| 5.2.2 生长取向对 PLZST 2/73/22/5 反铁电厚膜的介电性能的影响 | 第72-75页 |
| 5.2.3 生长取向对 PLZST 2/73/22/5 反铁电厚膜的致冷行为的影响 | 第75-77页 |
| 5.2.4 生长取向的 PLZST 2/73/22/5 反铁电厚膜漏电流性能研究 | 第77-79页 |
| 5.3 小结 | 第79-80页 |
| 结论 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-91页 |
| 在学研究成果 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93页 |
