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牺牲CNTs模板原位合成金属氧化物类纳米线网络结构及其气敏性能研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-22页
    1.1 室内空气污染问题及污染气体检测方法第10-12页
    1.2 金属氧化物半导体的气敏机理第12-13页
    1.3 金属氧化物的形态结构对其气敏性能的影响第13-16页
    1.4 具有特殊形态结构的金属氧化物的制备及所面临的问题第16-19页
    1.5 本文的选题思路及主要工作第19-22页
2 实验材料、装置与方法第22-30页
    2.1 试剂与仪器第22-23页
    2.2 实验的研究路线路第23-24页
    2.3 材料的表征手段第24-26页
    2.4 传感器制作与气敏性能测试第26-30页
3 牺牲 CNTs 模板结合丝网印刷和微滴注原位合成 In_2O_3类纳米线网络结构及气敏性能研究第30-46页
    3.1 引言第30-32页
    3.2 实验部分第32-34页
    3.3 实验结果分析与讨论第34-42页
    3.4 气敏机理讨论第42-44页
    3.5 本章小结第44-46页
4 SPMIC 法定点定成分制备由 ZnO、Co_3O_4、In_2O_3和 SnO_2传感器构成的阵列及选择性研究第46-59页
    4.1 引言第46-47页
    4.2 实验部分第47-49页
    4.3 实验结果分析与讨论第49-58页
    4.4 本章小结第58-59页
5 全文总结第59-62页
    5.1 主要成果第59-60页
    5.2 本文的创新之处第60页
    5.3 相关工作展望第60-62页
致谢第62-64页
参考文献第64-74页
附录 1 攻读硕士期间发表和待发表的论文第74-75页
附录 2 攻读硕士期间申请的发明专利第75页

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