| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 序言 | 第8-11页 |
| 1 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 晶体硅及其基本性质 | 第11-12页 |
| 1.2 太阳能电池用硅材料 | 第12-13页 |
| 1.3 高纯多晶硅的制备 | 第13-16页 |
| 1.3.1 三氯氢硅氢还原法 | 第14-15页 |
| 1.3.2 硅烷热分解法 | 第15页 |
| 1.3.3 Ethyl Corporation法 | 第15-16页 |
| 1.4 太阳能级多晶硅的制备 | 第16-17页 |
| 1.5 几种常用晶体硅材料介绍 | 第17-23页 |
| 1.5.1 区熔单晶硅 | 第17-18页 |
| 1.5.2 直拉单晶硅 | 第18-21页 |
| 1.5.3 铸造多晶硅 | 第21-23页 |
| 1.6 黑硅的制备方法 | 第23-28页 |
| 1.6.1 飞秒激光脉冲法 | 第24-25页 |
| 1.6.2 电化学腐蚀法 | 第25-26页 |
| 1.6.3 等离子体刻蚀法 | 第26-28页 |
| 1.7 本文研究内容和意义 | 第28-31页 |
| 2 晶体硅太阳能电池的产业化技术 | 第31-45页 |
| 2.1 太阳能电池产业简介 | 第31-32页 |
| 2.2 传统电池工艺 | 第32-44页 |
| 2.2.1 衬底 | 第32页 |
| 2.2.2 腐蚀、织构化和光学限制 | 第32-35页 |
| 2.2.3 结的形成 | 第35-38页 |
| 2.2.4 去氧化层 | 第38页 |
| 2.2.5 边缘隔离 | 第38-40页 |
| 2.2.6 前表面钝化和减反射涂层 | 第40-41页 |
| 2.2.7 前接触形成 | 第41-43页 |
| 2.2.8 背面结构 | 第43-44页 |
| 2.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 3 设备与实验 | 第45-71页 |
| 3.1 等离子体侵没离子注入系统 | 第45-48页 |
| 3.2 黑硅硅片制备工艺 | 第48-52页 |
| 3.2.1 黑硅气体流量比的确定 | 第48-49页 |
| 3.2.2 反应气压实验 | 第49-50页 |
| 3.2.3 射频输出功率实验 | 第50-51页 |
| 3.2.4 刻蚀时间实验 | 第51页 |
| 3.2.5 偏压试验 | 第51-52页 |
| 3.3 设备与黑硅工艺总结 | 第52-53页 |
| 3.4 黑硅太阳能电池的制备 | 第53-55页 |
| 3.5 氮化硅层对黑硅太阳能电池的影响 | 第55-68页 |
| 3.5.1 PECVD氮化硅的减反机理 | 第55-56页 |
| 3.5.2 SiH_4/NH_3、沉积温度、沉积时间对减反作用的影响 | 第56-60页 |
| 3.5.3 PECVD氮化硅薄膜钝化机理 | 第60-61页 |
| 3.5.4 气体比例、沉积时间、沉积温度对钝化作用的影响 | 第61-65页 |
| 3.5.5 沉积条件对量子效率的影响 | 第65-68页 |
| 3.6 本章小结 | 第68-71页 |
| 4 结论与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第77-81页 |
| 学位论文数据集 | 第81页 |