| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 ZnO 概述 | 第10-16页 |
| 1.1 ZnO 的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.2 ZnO 的性质 | 第11-14页 |
| 1.2.1 光电性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 压电性质 | 第13页 |
| 1.2.3 气敏性质 | 第13页 |
| 1.2.4 压敏性质 | 第13-14页 |
| 1.3 纳米 ZnO 的特性及应用 | 第14-15页 |
| 1.4 ZnO 的掺杂 | 第15-16页 |
| 2 ZnO 的制备与表征 | 第16-24页 |
| 2.1 ZnO 制备方法的分类 | 第16-17页 |
| 2.2 ZnO 的制备方法 | 第17-21页 |
| 2.2.1 水热法 | 第17页 |
| 2.2.2 脉冲激光沉积法 | 第17-18页 |
| 2.2.3 溶胶-凝胶法 | 第18页 |
| 2.2.4 化学气相沉积 | 第18-19页 |
| 2.2.5 溅射法 | 第19页 |
| 2.2.6 模板辅助生长法 | 第19-20页 |
| 2.2.7 电化学沉积法 | 第20页 |
| 2.2.8 热蒸发法 | 第20页 |
| 2.2.9 喷雾热解法 | 第20-21页 |
| 2.2.10 分子束外延法 | 第21页 |
| 2.2.11 微乳液法 | 第21页 |
| 2.3 ZnO 的表征手段 | 第21-24页 |
| 2.3.1 X 射线衍射(XRD) | 第22页 |
| 2.3.2 光致发光光谱(PL) | 第22页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第22-23页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜(TEM) | 第23页 |
| 2.3.5 拉曼光谱 (Raman) | 第23页 |
| 2.3.6 电子探针显微镜(EPMA) | 第23-24页 |
| 3 实验部分 | 第24-28页 |
| 3.1 实验药品及仪器 | 第24-25页 |
| 3.1.1 实验仪器 | 第24页 |
| 3.1.2 实验药品 | 第24-25页 |
| 3.2 Si 衬底上纳米棒阵列的生长 | 第25-27页 |
| 3.2.1 清洗衬底 | 第25页 |
| 3.2.2 生长晶种层 | 第25-26页 |
| 3.2.3 Si 衬底上纳米棒阵列的水热生长 | 第26-27页 |
| 3.3 小结 | 第27-28页 |
| 4 Si 衬底上 ZnO 纳米棒薄膜的优化生长及表征 | 第28-37页 |
| 4.1 ZnO 纳米棒阵列模板的优化 | 第28-31页 |
| 4.1.1 反应温度对 ZnO 纳米棒阵列模板的影响 | 第28-29页 |
| 4.1.2 反应时间对 ZnO 纳米棒阵列模板的影响 | 第29-30页 |
| 4.1.3 生长液浓度对 ZnO 纳米棒阵列模板的影响 | 第30-31页 |
| 4.2 纳米棒阵列的二次水热生长优化 | 第31-32页 |
| 4.3 纳米棒薄膜的表征分析 | 第32-34页 |
| 4.3.1 扫描电子显微镜-形貌分析 | 第32-33页 |
| 4.3.2 膜厚仪表征 | 第33-34页 |
| 4.3.3 PL 光谱测试分析 | 第34页 |
| 4.4 FTO 衬底上生长有序纳米棒阵列 | 第34-36页 |
| 4.5 小结 | 第36-37页 |
| 结论 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-42页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第42-43页 |
| 致谢 | 第43页 |
