| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 引言 | 第7-13页 |
| 1.1 固体表面相互作用简介 | 第7-9页 |
| 1.1.1 固体表面吸附分子、原子相互作用的研究 | 第7-9页 |
| 1.1.2 基底电子态调制的吸附原子间相互作用能的定量分析 | 第9页 |
| 1.2 金属/半导体体系简介 | 第9-11页 |
| 1.2.1 金属团簇相关研究 | 第9-10页 |
| 1.2.2 单个金属原子吸附在 Si(111)-(7x7)重构表面 | 第10-11页 |
| 1.3 研究目的及主要内容 | 第11-13页 |
| 第二章 实验原理及技术 | 第13-18页 |
| 2.1 扫描隧道显微镜简介 | 第13-16页 |
| 2.2 实验操作简介 | 第16-18页 |
| 2.2.1 大面积“超净 Si(111)-(7x7)重构表面”的制备 | 第16-17页 |
| 2.2.2 银原子吸附在 Si(111)-(7x7)重构表面的样品制备 | 第17-18页 |
| 第三章 吸附在 Si(111)-(7x7)重构表面的单个银原子高度的测量及分析 | 第18-29页 |
| 3.1 单个银原子吸附在 Si(111)-(7x7)重构表面 | 第18-21页 |
| 3.2 恒流模式中单个银原子扫描过程的分析 | 第21-26页 |
| 3.2.1 模型的建立及分析 | 第21-24页 |
| 3.2.2 系数 K 的估算 | 第24-26页 |
| 3.3 单个银原子高度的测量 | 第26-29页 |
| 第四章 室温下吸附在 Si(111)7x7 重构表面的银原子间的相互作用 | 第29-38页 |
| 4.1 银原子高度的变化 | 第29-33页 |
| 4.1.1 银原子间的相互作用对其高度的影响 | 第29-31页 |
| 4.1.2 银原子高度变化量的测量 | 第31-33页 |
| 4.2 银原子间相互作用能量的计算 | 第33-36页 |
| 4.3 银原子间相互作用机制的讨论 | 第36-38页 |
| 第五章 室温下吸附在 Si(111)7x7 重构表面的银原子的操纵 | 第38-43页 |
| 5.1 操纵方式 | 第38-39页 |
| 5.2 操纵示例 | 第39-43页 |
| 第六章 结论和展望 | 第43-45页 |
| 6.1 结论 | 第43页 |
| 6.2 展望 | 第43-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第50页 |
