| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 CMP工艺 | 第9-12页 |
| 1.1.1 CMP工艺简介 | 第9-11页 |
| 1.1.2 CMP工艺的主要机理模型 | 第11-12页 |
| 1.2 课题背景和意义 | 第12-13页 |
| 1.3 过渡金属硫化物的CMP研究及相关机理 | 第13-16页 |
| 1.3.1 过渡金属硫化物的CMP研究进展 | 第13-16页 |
| 1.3.2 相关机理的提出 | 第16页 |
| 1.4 本论文研究的主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 实验流程与所用设备 | 第18-31页 |
| 2.1 Cr-SbTe和氧化硅薄膜的制备及表征 | 第18-24页 |
| 2.1.1 衬底材料清洗 | 第18页 |
| 2.1.2 Cr-SbTe薄膜的制备 | 第18-20页 |
| 2.1.3 氧化硅薄膜的制备 | 第20-21页 |
| 2.1.4 Cr-SbTe薄膜表面形貌的表征 | 第21-22页 |
| 2.1.5 Cr-SbTe和氧化硅薄膜厚度的表征 | 第22-24页 |
| 2.2 Cr-SbTe抛光液的配制 | 第24页 |
| 2.2.1 磨料及添加剂的选择 | 第24页 |
| 2.2.2 抛光液的配制 | 第24页 |
| 2.3 Cr-SbTeCMP实验及工艺参数的设定 | 第24-26页 |
| 2.4 光刻工艺及Cr-SbTepattern的制备 | 第26-28页 |
| 2.5 Cr-SbTe表面化学反应的表征 | 第28-31页 |
| 第三章 Cr-SbTe的CMP抛光液和工艺参数的研究 | 第31-47页 |
| 3.1 抛光液组分对Cr-SbTeCMP的影响 | 第31-38页 |
| 3.1.1 pH值对Cr-SbTeCMP的影响 | 第32-33页 |
| 3.1.2 磨料浓度对Cr-SbTeCMP的影响 | 第33-36页 |
| 3.1.3 氧化剂对Cr-SbTeCMP的影响 | 第36-38页 |
| 3.2 工艺参数对Cr-SbTeCMP的影响 | 第38-42页 |
| 3.2.1 下压力 | 第39-40页 |
| 3.2.2 抛光盘转速 | 第40-42页 |
| 3.3 优化后工艺 | 第42-43页 |
| 3.4 Cr-SbTeCMP对不同尺寸通孔dishing缺陷的影响 | 第43-45页 |
| 3.5 小结 | 第45-47页 |
| 第四章 基于过氧化氢的Cr-SbTeCMP机理探索 | 第47-60页 |
| 4.1 Preston方程的修订 | 第47-48页 |
| 4.2 Cr-SbTe表面化学反应的研究 | 第48-56页 |
| 4.2.1 动电位极化曲线 | 第48-51页 |
| 4.2.2 电化学阻抗谱 | 第51-53页 |
| 4.2.3 电位-pH图 | 第53-54页 |
| 4.2.4 Cr-SbTe薄膜表面的XPS表征 | 第54-56页 |
| 4.3 酸性抛光液中过氧化氢作氧化剂时Cr-SbTe的抛光机理 | 第56-57页 |
| 4.4 抛光前后Cr-SbTe的相变性能 | 第57-58页 |
| 4.5 小结 | 第58-60页 |
| 第五章 总结和展望 | 第60-62页 |
| 5.1 总结 | 第60-61页 |
| 5.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
