| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 核辐射探测器的概述 | 第10-14页 |
| 1.1.1 径迹探测器 | 第10-11页 |
| 1.1.2 气体探测器 | 第11-12页 |
| 1.1.3 闪烁体探测器 | 第12-13页 |
| 1.1.4 半导体探测器 | 第13-14页 |
| 1.2 硅核辐射探测器的概述 | 第14-18页 |
| 1.2.1 硅漂移探测器 | 第14-15页 |
| 1.2.2 P-N结型探测器 | 第15-17页 |
| 1.2.3 金硅面垒型核辐射探测器 | 第17-18页 |
| 1.3 主要工作内容及章节安排 | 第18-20页 |
| 第2章 金硅面垒核辐射探测器性能指标及结构设计 | 第20-32页 |
| 2.1 金硅面垒型核辐射探测器理论基础 | 第20-26页 |
| 2.1.1 金硅面垒型核辐射探测器工作原理 | 第20页 |
| 2.1.2 金硅面垒型核辐射探测器的电流电压特性 | 第20-25页 |
| 2.1.3 金硅面垒型核辐射探测器的电容电压特性 | 第25-26页 |
| 2.2 金硅面垒型核辐射探测器特性参数 | 第26-29页 |
| 2.2.1 灵敏区 | 第26-27页 |
| 2.2.2 噪声、能量分辨率 | 第27页 |
| 2.2.3 输出脉冲幅度、能量线性 | 第27-28页 |
| 2.2.4 温度特性、辐照损伤 | 第28-29页 |
| 2.2.5 时间特性 | 第29页 |
| 2.3 金硅面垒型核辐射探测器材料的选择 | 第29-31页 |
| 2.4 金硅面垒型核辐射探测器结构设计 | 第31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 金硅面垒型核辐射探测器制备工艺 | 第32-48页 |
| 3.1 金硅面垒型核辐射探测器关键工艺 | 第32-36页 |
| 3.1.1 机械手段切割硅片 | 第32-36页 |
| 3.2 初步工艺流程 | 第36-40页 |
| 3.2.1 硅片衬底清洗 | 第36-37页 |
| 3.2.2 欧姆接触电极工艺 | 第37-38页 |
| 3.2.3 肖特基接触电极工艺 | 第38-40页 |
| 3.2.4 退火 | 第40页 |
| 3.3 器件后续改进 | 第40-42页 |
| 3.3.1 边缘短路问题 | 第40-42页 |
| 3.4 改进后工艺 | 第42-44页 |
| 3.5 器件封装工艺 | 第44-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 金硅面垒型核辐射探测器性能测试 | 第48-60页 |
| 4.1 金硅面垒型核辐射探测器电学性能测试系统 | 第48-49页 |
| 4.2 金硅面垒型核辐射探测器电学测试 | 第49-54页 |
| 4.2.1 金硅面垒型核辐射探测器电流电压特性测试 | 第49-51页 |
| 4.2.2 金硅面垒型核辐射探测器电容电压特性测试 | 第51-52页 |
| 4.2.3 金硅面垒型核辐射探测器电学特性与温度的关系 | 第52-54页 |
| 4.3 金硅面垒型核辐射探测器核电子学测试 | 第54-58页 |
| 4.3.1 金硅面垒型核辐射探测器核电子学性能测试系统 | 第54-55页 |
| 4.3.2 α粒子响应 | 第55-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第5章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 论文总结 | 第60页 |
| 5.2 未来展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
