摘要 | 第5-8页 |
Abstract | 第8-12页 |
第一章 绪论 | 第20-44页 |
1.1 研究背景 | 第20-30页 |
1.1.1 铁电体的发展历史 | 第20-23页 |
1.1.2 铁电光伏效应及其应用 | 第23-28页 |
1.1.3 铁磁性及其在信息存储中的应用 | 第28-30页 |
1.2 本论文陶瓷和薄膜的合成方法 | 第30-33页 |
1.2.1 陶瓷的合成技术 | 第30-32页 |
1.2.2 薄膜的制备方法 | 第32-33页 |
1.3 本论文所涉及的材料表征手段简介 | 第33-35页 |
1.4 本论文的研究意义和主要内容 | 第35-37页 |
参考文献 | 第37-44页 |
第二章 Sm-Mn共掺杂BiFeO_3薄膜的结构和光磁性质研究 | 第44-66页 |
2.1 引言 | 第44-46页 |
2.2 制备BSFMO薄膜 | 第46-48页 |
2.3 BSFMO薄膜的结构微变和晶粒细化 | 第48-54页 |
2.4 BSFMO薄膜的光吸收特性研究 | 第54-57页 |
2.5 晶格畸变诱导BSFMO薄膜的磁性增强 | 第57-58页 |
2.6 本章小结 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-66页 |
第三章 Pb(Ti,M)O_(3-δ)(M=Ni/Pd)铁电材料的可见光响应和多重磁性转变 | 第66-94页 |
3.1 引言 | 第66-68页 |
3.2 ABO_3型Pb(Ti,M)O_(3-δ)材料的制备 | 第68-70页 |
3.3 PTNO铁电陶瓷的结构与性质探究 | 第70-74页 |
3.3.1 PTNO陶瓷的晶体结构和微观形貌 | 第70-72页 |
3.3.2 PTNO陶瓷的光吸收与能带结构分析 | 第72-73页 |
3.3.3 PTNO陶瓷的磁学性质研究 | 第73-74页 |
3.4 离子掺杂诱导PTNO和PTPO薄膜的结构相变和性质转变 | 第74-86页 |
3.4.1 PTNO薄膜的结构相变、窄带隙和铁磁性研究 | 第74-80页 |
3.4.2 PTPO薄膜的可调微结构和光磁特性研究 | 第80-86页 |
3.5 本章小结 | 第86-88页 |
参考文献 | 第88-94页 |
第四章 Ba(Ti,Ce,M)O_(3-δ)(M=Ni/Pd)材料的窄带隙与磁性能 | 第94-118页 |
4.1 引言 | 第94-96页 |
4.2 制备BTCMO(M=Ni/Pd)陶瓷和薄膜 | 第96-97页 |
4.3 二价d~8离子掺杂对BaTiO_3陶瓷微结构和物性的影响 | 第97-101页 |
4.3.1 掺杂钛酸钡陶瓷的晶体结构和微形貌研究 | 第97-99页 |
4.3.2 氧空位稳定的d~8离子替代窄化钛酸钡的光学带隙 | 第99-100页 |
4.3.3 磁性离子替代诱导钛酸钡的室温铁磁性 | 第100-101页 |
4.4 BTCMO(M=Ni/Pd)薄膜的结构和性能表征 | 第101-109页 |
4.4.1 BTCNO薄膜的带隙窄化效应与空位-磁效应 | 第101-107页 |
4.4.2 BTCPO薄膜的微观结构与光磁性质 | 第107-109页 |
4.5 本章小结 | 第109-112页 |
参考文献 | 第112-118页 |
第五章 KNbO_3系金属氧化物钙钛矿吸光材料的合成及光电磁特性研究 | 第118-158页 |
5.1 引言 | 第118-120页 |
5.2 制备系列金属氧化物钙钛矿吸光材料KBNNO和KBCNO | 第120-123页 |
5.3 KBNNO陶瓷的结构和物理特性 | 第123-137页 |
5.3.1 KBNNO晶体的结构相变 | 第123-131页 |
5.3.2 KBNNO陶瓷的可调控光学带隙 | 第131-133页 |
5.3.3 KBNNO电学性质与BNNO含量的关系 | 第133-135页 |
5.3.4 V_O和Ni离子浓度对KBNNO磁性的影响 | 第135-137页 |
5.4 KBNNO薄膜的光电特性及其机理研究 | 第137-140页 |
5.5 元素替代对KBCNO陶瓷结构和光电磁性质的系统性调控 | 第140-148页 |
5.5.1 掺杂组分含量对KBCNO微结构的影响 | 第140-144页 |
5.5.2 可见光波段KBCNO的光吸收增强现象 | 第144-146页 |
5.5.3 KBCNO的电学和磁学性质 | 第146-148页 |
5.6 本章小结 | 第148-150页 |
参考文献 | 第150-158页 |
第六章 总结与展望 | 第158-164页 |
6.1 总结 | 第158-162页 |
6.2 展望 | 第162-164页 |
附录Ⅰ 攻读博士学位期间科研成果清单及奖励 | 第164-172页 |
附录Ⅱ 致谢 | 第172-173页 |