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新型窄带隙铁电体的合成及其物理特性研究

摘要第5-8页
Abstract第8-12页
第一章 绪论第20-44页
    1.1 研究背景第20-30页
        1.1.1 铁电体的发展历史第20-23页
        1.1.2 铁电光伏效应及其应用第23-28页
        1.1.3 铁磁性及其在信息存储中的应用第28-30页
    1.2 本论文陶瓷和薄膜的合成方法第30-33页
        1.2.1 陶瓷的合成技术第30-32页
        1.2.2 薄膜的制备方法第32-33页
    1.3 本论文所涉及的材料表征手段简介第33-35页
    1.4 本论文的研究意义和主要内容第35-37页
    参考文献第37-44页
第二章 Sm-Mn共掺杂BiFeO_3薄膜的结构和光磁性质研究第44-66页
    2.1 引言第44-46页
    2.2 制备BSFMO薄膜第46-48页
    2.3 BSFMO薄膜的结构微变和晶粒细化第48-54页
    2.4 BSFMO薄膜的光吸收特性研究第54-57页
    2.5 晶格畸变诱导BSFMO薄膜的磁性增强第57-58页
    2.6 本章小结第58-60页
    参考文献第60-66页
第三章 Pb(Ti,M)O_(3-δ)(M=Ni/Pd)铁电材料的可见光响应和多重磁性转变第66-94页
    3.1 引言第66-68页
    3.2 ABO_3型Pb(Ti,M)O_(3-δ)材料的制备第68-70页
    3.3 PTNO铁电陶瓷的结构与性质探究第70-74页
        3.3.1 PTNO陶瓷的晶体结构和微观形貌第70-72页
        3.3.2 PTNO陶瓷的光吸收与能带结构分析第72-73页
        3.3.3 PTNO陶瓷的磁学性质研究第73-74页
    3.4 离子掺杂诱导PTNO和PTPO薄膜的结构相变和性质转变第74-86页
        3.4.1 PTNO薄膜的结构相变、窄带隙和铁磁性研究第74-80页
        3.4.2 PTPO薄膜的可调微结构和光磁特性研究第80-86页
    3.5 本章小结第86-88页
    参考文献第88-94页
第四章 Ba(Ti,Ce,M)O_(3-δ)(M=Ni/Pd)材料的窄带隙与磁性能第94-118页
    4.1 引言第94-96页
    4.2 制备BTCMO(M=Ni/Pd)陶瓷和薄膜第96-97页
    4.3 二价d~8离子掺杂对BaTiO_3陶瓷微结构和物性的影响第97-101页
        4.3.1 掺杂钛酸钡陶瓷的晶体结构和微形貌研究第97-99页
        4.3.2 氧空位稳定的d~8离子替代窄化钛酸钡的光学带隙第99-100页
        4.3.3 磁性离子替代诱导钛酸钡的室温铁磁性第100-101页
    4.4 BTCMO(M=Ni/Pd)薄膜的结构和性能表征第101-109页
        4.4.1 BTCNO薄膜的带隙窄化效应与空位-磁效应第101-107页
        4.4.2 BTCPO薄膜的微观结构与光磁性质第107-109页
    4.5 本章小结第109-112页
    参考文献第112-118页
第五章 KNbO_3系金属氧化物钙钛矿吸光材料的合成及光电磁特性研究第118-158页
    5.1 引言第118-120页
    5.2 制备系列金属氧化物钙钛矿吸光材料KBNNO和KBCNO第120-123页
    5.3 KBNNO陶瓷的结构和物理特性第123-137页
        5.3.1 KBNNO晶体的结构相变第123-131页
        5.3.2 KBNNO陶瓷的可调控光学带隙第131-133页
        5.3.3 KBNNO电学性质与BNNO含量的关系第133-135页
        5.3.4 V_O和Ni离子浓度对KBNNO磁性的影响第135-137页
    5.4 KBNNO薄膜的光电特性及其机理研究第137-140页
    5.5 元素替代对KBCNO陶瓷结构和光电磁性质的系统性调控第140-148页
        5.5.1 掺杂组分含量对KBCNO微结构的影响第140-144页
        5.5.2 可见光波段KBCNO的光吸收增强现象第144-146页
        5.5.3 KBCNO的电学和磁学性质第146-148页
    5.6 本章小结第148-150页
    参考文献第150-158页
第六章 总结与展望第158-164页
    6.1 总结第158-162页
    6.2 展望第162-164页
附录Ⅰ 攻读博士学位期间科研成果清单及奖励第164-172页
附录Ⅱ 致谢第172-173页

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