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新型Ta3N5半导体薄膜光电极的研究

摘要第3-5页
abstract第5-7页
第1章 绪论第10-26页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 CO_2利用的研究状况第11-17页
        1.2.1 CO_2资源化的物理利用第13-14页
        1.2.2 CO_2资源化的化学利用第14-17页
    1.3 光催化还原CO_2制取太阳能燃料电池第17-23页
        1.3.1 光催化还原CO_2的反应体系第17-18页
        1.3.2 光电催化还原CO_2的原理第18-20页
        1.3.3 半导体光电极第20-23页
    1.4 本文的主要研究内容和创新之处第23-26页
        1.4.1 本文的主要研究内容第23页
        1.4.2 研究的创新点第23-26页
第2章 Ta_3N_5半导体薄膜光电极的制备和表征第26-46页
    2.1 引言第26-27页
    2.2 实验试剂和实验仪器第27-29页
        2.2.1 实验试剂第27-28页
        2.2.2 实验仪器和设备第28-29页
    2.3 实验部分第29-31页
        2.3.1 Ta_2O_5薄膜电极的制备第29-30页
        2.3.2 高温氮化制备Ta_3N_5薄膜光电极第30页
        2.3.3 材料的表征方法第30-31页
    2.4 结果与讨论第31-44页
        2.4.1 薄膜电极氮化前后表面颜色的变化第31-32页
        2.4.2 Ta_3N_5薄膜光电极的场发射扫描电镜的表征第32-33页
        2.4.3 Ta_3N_5薄膜光电极的XRD表征第33-34页
        2.4.4 Ta_3N_5薄膜光电极的XPS表征第34-36页
        2.4.5 Ta_3N_5薄膜光电极的能带结构表征第36-40页
        2.4.6 Ta_3N_5薄膜光电极的电化学性能研究第40-43页
        2.4.7 Ta_3N_5薄膜光电极的光电性能研究第43-44页
    2.5 本章小结第44-46页
第3章 Ta_3N_5半导体薄膜的密度泛函计算第46-62页
    3.1 密度泛函理论第46-51页
        3.1.1 Hohenber-Kohn定理第47-48页
        3.1.2 科恩-沈吕九方程第48-51页
        3.1.3 自洽计算第51页
    3.2 VASP软件介绍第51-52页
        3.2.1 VASP的算法特征第51-52页
        3.2.2 VASP的主要输入文件第52页
    3.3 计算方法第52-53页
    3.4 结果与讨论第53-59页
        3.4.1 结构优化第53-54页
        3.4.2 态密度和禁带宽度的计算第54-59页
    3.5 TaON的态密度和禁带宽度的计算第59-60页
    3.6 本章小结第60-62页
第4章 全文结论与展望第62-64页
参考文献第64-73页
致谢第73-74页
攻读学位期间的研究成果第74页

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