| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 论文课题的研究背景 | 第10页 |
| 1.3 本课题研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.4 本课题主要研究的内容 | 第11-13页 |
| 第2章 n-ZnO/p-GaN异质结LED器件的概述 | 第13-24页 |
| 2.1 GaN材料的简介 | 第13页 |
| 2.2 ZnO材料的简介 | 第13-15页 |
| 2.3 LED器件的介绍 | 第15-24页 |
| 2.3.1 半导体发光机理 | 第15-18页 |
| 2.3.2 LED电致发光机理 | 第18-20页 |
| 2.3.3 LED能效问题 | 第20-24页 |
| 第3章 n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED模拟仿真 | 第24-28页 |
| 3.1 基本方程 | 第24-26页 |
| 3.1.1 泊松方程 | 第24-25页 |
| 3.1.2 空穴和电子的连续性方程 | 第25页 |
| 3.1.3 漂移扩散输运方程 | 第25-26页 |
| 3.2 边界条件和物理模型 | 第26-28页 |
| 3.2.1 边界条件 | 第26页 |
| 3.2.2 载流子再生复合模型 | 第26-27页 |
| 3.2.3 Shockley-Read-Hall(SRH)复合 | 第27-28页 |
| 第4章 n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED器件模型的特性仿真 | 第28-38页 |
| 4.1 n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED器件结构的建立 | 第29-31页 |
| 4.2 LED的光电特性介绍 | 第31-33页 |
| 4.2.1 极限参数 | 第31-32页 |
| 4.2.2 电压电流关系 | 第32页 |
| 4.2.3 发光强度 | 第32-33页 |
| 4.3 n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED光电特性的仿真 | 第33-35页 |
| 4.3.1 电流电压特性曲线仿真 | 第33-34页 |
| 4.3.2 EL光谱的仿真 | 第34-35页 |
| 4.4 ZnO纳米棒/GaN异质结发光二极管光抽取率仿真分析 | 第35-38页 |
| 第5章 n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED器件结构优化设计 | 第38-62页 |
| 5.1 电子阻挡层的优化设计 | 第38-51页 |
| 5.1.1 MaterialsStudio软件介绍 | 第39页 |
| 5.1.2 Hohenberg—kohn(HK)定理 | 第39-40页 |
| 5.1.3 计算结果与分析 | 第40-42页 |
| 5.1.4 n-ZnO纳米棒/i-MgZnO/p-GaN异质结LED仿真模型的建立 | 第42-44页 |
| 5.1.5 n-ZnO纳米棒/i-MgZnO/p-GaN异质结LED仿真分析 | 第44-51页 |
| 5.2 ZnO纳米棒尺寸优化仿真 | 第51-62页 |
| 5.2.1 ZnO纳米棒直径优化分析 | 第53-56页 |
| 5.2.2 ZnO纳米棒间距优化分析 | 第56-59页 |
| 5.2.3 ZnO纳米棒长度的优化分析 | 第59-62页 |
| 第6章 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 在学研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
