一维硅纳米材料的可控制备及其光致发光特性的研究
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第9-24页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 一维硅纳米材料的制备 | 第9-17页 |
1.2.1 硅纳米线 | 第9-13页 |
1.2.2 硅纳米管 | 第13-15页 |
1.2.3 硅纳米带 | 第15-17页 |
1.3 一维硅纳米材料的特性 | 第17-18页 |
1.3.1 电学特性 | 第17页 |
1.3.2 光学特性 | 第17-18页 |
1.3.3 热传导特性 | 第18页 |
1.4 一维硅纳米材料的应用 | 第18-22页 |
1.4.1 晶体管 | 第19页 |
1.4.2 传感器 | 第19-21页 |
1.4.3 太阳能电池 | 第21-22页 |
1.4.4 锂离子电池 | 第22页 |
1.5 课题研究的意义及主要创新点 | 第22-24页 |
第二章 用热蒸发法制备一维硅纳米材料 | 第24-50页 |
2.1 引言 | 第24-25页 |
2.2 热蒸发SiO制备硅纳米线的生长模型 | 第25-26页 |
2.3 金属镧的物理和化学性质 | 第26-27页 |
2.4 实验设备及原料 | 第27-28页 |
2.4.1 高温管式炉 | 第27页 |
2.4.2 机械真空泵 | 第27页 |
2.4.3 场发射扫描电子显微镜 | 第27页 |
2.4.4 场发射扫描/聚焦离子束双束显微镜 | 第27-28页 |
2.4.5 透射电子显微镜 | 第28页 |
2.4.6 X光衍射仪 | 第28页 |
2.4.7 超声波清洗仪 | 第28页 |
2.4.8 实验药品 | 第28页 |
2.5 实验步骤及参数 | 第28-31页 |
2.6 实验结果 | 第31-38页 |
2.7 生长机理讨论 | 第38-48页 |
2.7.1 热生长过程中的三相体系 | 第40-43页 |
2.7.2 三相体系中的生长速度 | 第43-44页 |
2.7.3 三相体系中一维硅纳米材料生长模型 | 第44-48页 |
2.8 小结 | 第48-50页 |
第三章 金属辅助法制备硅纳米线阵列 | 第50-59页 |
3.1 引言 | 第50页 |
3.2 金属辅助化学刻蚀法生长模型 | 第50-51页 |
3.3 实验设备及原料 | 第51-52页 |
3.3.1 场发射扫描电子显微镜 | 第52页 |
3.3.2 超声波清洗仪 | 第52页 |
3.3.3 实验药品 | 第52页 |
3.4 实验步骤及参数 | 第52-53页 |
3.5 实验结果 | 第53-57页 |
3.6 对硅纳米线阵列生长的讨论 | 第57-58页 |
3.7 小结 | 第58-59页 |
第四章 一维硅纳米材料的光致发光特性研究 | 第59-67页 |
4.1 引言 | 第59页 |
4.2 实验设备及原料 | 第59-61页 |
4.2.1 荧光分光光度计 | 第60页 |
4.2.2 高温管式炉 | 第60页 |
4.2.3 机械真空泵 | 第60页 |
4.2.4 超声波清洗仪 | 第60页 |
4.2.5 实验药品 | 第60-61页 |
4.3 实验步骤及参数 | 第61-62页 |
4.4 实验结果与分析 | 第62-66页 |
4.4.1 硅纳米线阵列的光致发光特性 | 第62-64页 |
4.4.2 硅纳米管的光致发光特性 | 第64-66页 |
4.5 小结 | 第66-67页 |
第五章 结论 | 第67-69页 |
参考文献 | 第69-75页 |
致谢 | 第75-76页 |