| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-30页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第15-18页 |
| 1.1.1 CuXSe_2材料的研究背景 | 第16-17页 |
| 1.1.2 I_2-II-IV-VI_4家族材料的研究背景 | 第17页 |
| 1.1.3 氮化铝镓合金的研究背景 | 第17-18页 |
| 1.2 新型多元光电材料研究现状 | 第18-23页 |
| 1.2.1 黄铜矿结构的 CuAlSe_2以及缺陷的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.2.1.1 结构和性能的实验研究 | 第18-19页 |
| 1.2.1.2 结构和性能的理论研究 | 第19-20页 |
| 1.2.2 I_2-II-IV-VI_4族材料的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.2.2.1 KS 结构的 Cu_2ZnSnS_4的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.2.2.2 ST 结构的 Cu_2CdGeSe_4研究现状 | 第21页 |
| 1.2.2.3 WST 结构的 Ag_2HgSnSe_4研究现状 | 第21页 |
| 1.2.3 氮化铝镓合金的研究现状 | 第21-23页 |
| 1.2.3.1 实验研究 | 第22页 |
| 1.2.3.2 理论研究 | 第22-23页 |
| 1.3 第一性原理计算方法 | 第23-28页 |
| 1.3.1 密度泛函理论 | 第24-27页 |
| 1.3.2 计算软件和程序流程 | 第27-28页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第28-30页 |
| 第2章 三元化合物半导体 CuAl_5Se_8结构和性能的研究 | 第30-52页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 计算方法与参数设置 | 第30-38页 |
| 2.2.1 构建晶体模型 | 第30-31页 |
| 2.2.2 平面波赝势计算方法 | 第31-34页 |
| 2.2.3 结构优化的计算理论 | 第34页 |
| 2.2.4 弹性常数的计算理论 | 第34-35页 |
| 2.2.5 能带的计算理论 | 第35-36页 |
| 2.2.6 态密度的计算理论 | 第36-37页 |
| 2.2.7 光学性质的计算理论 | 第37-38页 |
| 2.2.8 参数设置 | 第38页 |
| 2.3 CuAlSe_2和 CuAl_5Se_8的结构参数 | 第38-39页 |
| 2.4 CuAl_5Se_8中缺陷对（ 2V_(Cu)+Al_(Cu)）的形成能 | 第39-42页 |
| 2.4.1 缺陷形成能的计算方法 | 第39-40页 |
| 2.4.2 （2V_(Cu)+Al_(Cu)）的形成能 | 第40-42页 |
| 2.5 CuAl_5Se_8的弹性常数 | 第42-43页 |
| 2.6 CuAlSe_2和 CuAl_5Se_8的能带结构和电子特性 | 第43-46页 |
| 2.7 CuAlSe_2和 CuAl_5Se_8的光学性能 | 第46-48页 |
| 2.8 实验验证 | 第48-50页 |
| 2.9 本章小结 | 第50-52页 |
| 第3章 四元硫族化合物半导体 I_2-II-IV-VI_4的结构和性能的研究 | 第52-76页 |
| 3.1 引言 | 第52-53页 |
| 3.2 计算方法 | 第53-54页 |
| 3.3 KS 结构的 Cu_2ZnSnS_4的结构与性能的第一性原理预测 | 第54-61页 |
| 3.3.1 参数设置 | 第54-55页 |
| 3.3.2 结构优化 | 第55-56页 |
| 3.3.3 电子性能 | 第56-59页 |
| 3.3.4 光学性能 | 第59-61页 |
| 3.4 ST 结构的 Cu_2CdGeSe_4的结构及性能的第一性原理预测 | 第61-67页 |
| 3.4.1 参数设置 | 第61页 |
| 3.4.2 结构优化 | 第61-62页 |
| 3.4.3 电子性能 | 第62-64页 |
| 3.4.4 光学性能 | 第64-67页 |
| 3.5 WST 结构的 Ag_2HgSnSe_4的结构及性能的第一性原理预测 | 第67-72页 |
| 3.5.1 参数设置 | 第67页 |
| 3.5.2 结构优化 | 第67-68页 |
| 3.5.3 电子性能 | 第68-70页 |
| 3.5.4 光学性能 | 第70-72页 |
| 3.6 实验验证 | 第72-74页 |
| 3.7 本章小结 | 第74-76页 |
| 第4章 三元合金 AlGaN 的结构和性能的研究 | 第76-101页 |
| 4.1 引言 | 第76-77页 |
| 4.2 半导体合金的结构和晶格常数 | 第77-78页 |
| 4.3 计算方法和参数设置 | 第78-79页 |
| 4.4 晶体的结构优化 | 第79-80页 |
| 4.5 电子结构 | 第80-87页 |
| 4.5.1 能带结构、带隙和态密度 | 第80-84页 |
| 4.5.2 电荷布居分析 | 第84-87页 |
| 4.6 光学特性 | 第87-91页 |
| 4.6.1 直接跃迁和间接跃迁 | 第87-88页 |
| 4.6.2 Al 浓度对 AlGaN 合金光学性能的影响 | 第88-91页 |
| 4.7 压力对 AlGaN 合金的影响 | 第91-98页 |
| 4.7.1 研究压力的意义 | 第91页 |
| 4.7.2 高压下自由能的计算 | 第91-92页 |
| 4.7.3 压力对 AlGaN 合金电子结构的影响 | 第92-94页 |
| 4.7.4 压力对 AlGaN 合金光学性能的影响 | 第94-98页 |
| 4.8 实验验证 | 第98-100页 |
| 4.9 本章小结 | 第100-101页 |
| 结论 | 第101-104页 |
| 参考文献 | 第104-116页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
| 个人简历 | 第119页 |
