| 目录 | 第3-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| 1.1 铁电性基础 | 第7-10页 |
| 1.2 铁电聚合物概述 | 第10-11页 |
| 1.3 铁电薄膜材料的极化疲劳失效问题 | 第11-12页 |
| 1.4 铁电薄膜材料的应用 | 第12-15页 |
| 1.4.1 铁电存储器 | 第13-15页 |
| 1.4.2 基于P(VDF-TrFE)的FeFET | 第15页 |
| 1.5 基于透明氧化物半导体的FeFET | 第15-20页 |
| 1.5.1 IGZO简介 | 第16页 |
| 1.5.2 IGZO薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| 1.5.3 IGZO薄膜的低温制备问题 | 第18页 |
| 1.5.4 MOS电容结构的C-V特性 | 第18-20页 |
| 1.6 论文主要内容和结构 | 第20-21页 |
| 第二章 铁电薄膜的制备与表征 | 第21-28页 |
| 2.1 铁电薄膜样品的制备 | 第21-22页 |
| 2.2 铁电薄膜表面形貌的AFM表征 | 第22-25页 |
| 2.3 铁电薄膜的电学表征 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 铁电聚合物极化疲劳恢复研究 | 第28-52页 |
| 3.1 实验样品的制备和表征 | 第28-30页 |
| 3.2 紫外辐照对疲劳速率的影响 | 第30-33页 |
| 3.3 紫外辐照对极化疲劳恢复的影响 | 第33-47页 |
| 3.3.1 紫外辐照时间对疲劳恢复的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.2 不同偏压下紫外辐照对极化疲劳恢复的影响 | 第36-43页 |
| 3.3.2.1 偏压值大小对极化疲劳恢复的影响 | 第37-40页 |
| 3.3.2.2 偏压极性对极化疲劳恢复的影响 | 第40-43页 |
| 3.3.3 紫外光强度对极化疲劳恢复的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.4 关于多次疲劳恢复的研究 | 第45-47页 |
| 3.4 讨论 | 第47-50页 |
| 3.4.1 紫外辐照对铁电薄膜的影响 | 第47-49页 |
| 3.4.2 印记失效 | 第49-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 IGZO薄膜的低温制备与表征 | 第52-59页 |
| 4.1 IGZO薄膜样品的低温制备 | 第53-54页 |
| 4.2 IGZO薄膜的AFM表征 | 第54-55页 |
| 4.3 IGZO薄膜的透射率 | 第55-56页 |
| 4.4 MOS电容结构的C-V表征 | 第56-57页 |
| 4.5 实验结果讨论和不足之处 | 第57-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 总结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |