多电荷量子比特的相干操控研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 研究背景和基本概念 | 第12-34页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-14页 |
| 1.1.1 量子计算简介 | 第12-13页 |
| 1.1.2 量子计算体系 | 第13-14页 |
| 1.2 半导体门型量子点 | 第14-19页 |
| 1.2.1 量子点简介 | 第14-15页 |
| 1.2.2 门控量子点 | 第15-18页 |
| 1.2.3 GaAs中二维电子气 | 第18-19页 |
| 1.3 量子点基本概念 | 第19-30页 |
| 1.3.1 单量子点理论模型 | 第19-22页 |
| 1.3.2 双量子点理论模型 | 第22-28页 |
| 1.3.3 量子点相关概念 | 第28-30页 |
| 1.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 第2章 样品制备和测量系统 | 第34-60页 |
| 2.1 微纳加工仪器及其使用 | 第34-47页 |
| 2.1.1 紫外光学曝光机 | 第34-37页 |
| 2.1.2 扫描电子显徽镜和电子束曝光刻蚀 | 第37-43页 |
| 2.1.3 电子束蒸发镀膜机 | 第43-45页 |
| 2.1.4 原子力显徽镜 | 第45-46页 |
| 2.1.5 其他常用仪器和设备 | 第46-47页 |
| 2.2 GaAs量子点器件加工流程 | 第47-53页 |
| 2.2.1 湿法刻蚀形成所需二维电子气区域 | 第48-49页 |
| 2.2.2 制作欧姆接触 | 第49-50页 |
| 2.2.3 制作表面大电极 | 第50页 |
| 2.2.4 制作纳米级门电极 | 第50-53页 |
| 2.3 低温测量平台 | 第53-55页 |
| 2.4 掺杂GaAs基片的判断 | 第55-58页 |
| 2.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第3章 由双量子点构成的单电荷量子比特 | 第60-72页 |
| 3.1 双量子点的图像 | 第60-62页 |
| 3.2 双量子点的光子辅助隧穿 | 第62-63页 |
| 3.3 双量子点的脉冲拉莫振荡 | 第63-64页 |
| 3.4 双量子点的LZS效应 | 第64-66页 |
| 3.5 双量子点的拉比振荡和Ramsey操作 | 第66-68页 |
| 3.6 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 第4章 双电荷量子比特相干操作 | 第72-96页 |
| 4.1 双电荷量子比特样品的结构设计 | 第72-76页 |
| 4.2 双电荷量子比特耦合强度 | 第76-79页 |
| 4.3 耦合能量与逻辑非门及纠缠度的关系 | 第79-84页 |
| 4.4 双电荷量子比特逻辑非门操作 | 第84-90页 |
| 4.5 双电荷量子比特模拟计算 | 第90-92页 |
| 4.6 本章小结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-96页 |
| 第5章 三电荷量子比特的研究 | 第96-108页 |
| 5.1 三电荷量子比特结构 | 第96-99页 |
| 5.2 量子比特Toffoli逻辑门 | 第99-101页 |
| 5.3 Toffoli逻辑门实验测量 | 第101-104页 |
| 5.4 本章小结 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-108页 |
| 第6章 总结与展望 | 第108-114页 |
| 6.1 总结与不足 | 第108-110页 |
| 6.2 展望 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-114页 |
| 附录1 模拟计算程序 | 第114-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第126页 |
