| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 AlN薄膜的特性与应用 | 第11-17页 |
| 1.2.1 AlN薄膜的特性 | 第11-13页 |
| 1.2.2 AlN薄膜的应用 | 第13-17页 |
| 1.3 AlN薄膜制备方法 | 第17-20页 |
| 1.3.1 磁控溅射法(Magnetron Sputtering) | 第17-18页 |
| 1.3.2 化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition) | 第18-19页 |
| 1.3.3 脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition) | 第19页 |
| 1.3.4 分子束外延法(Molecular Beam Epitaxy) | 第19-20页 |
| 1.3.5 真空蒸发镀膜法(Vacuum Evaporation) | 第20页 |
| 1.4 ScAlN薄膜研究概况 | 第20-22页 |
| 1.5 本文的研究目的与主要工作 | 第22-24页 |
| 1.5.1 Sc掺杂AlN薄膜的研究意义 | 第22页 |
| 1.5.2 合金衬底/ScAlN结构的研究意义 | 第22页 |
| 1.5.3 本文主要工作 | 第22-24页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征方法 | 第24-33页 |
| 2.1 薄膜的制备系统 | 第24-27页 |
| 2.1.1 磁控溅射的工作原理 | 第24-25页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第25-27页 |
| 2.2 实验步骤 | 第27-28页 |
| 2.2.1 制备ScAlN薄膜 | 第27页 |
| 2.2.2 底电极层的制备 | 第27-28页 |
| 2.3 薄膜测试 | 第28-31页 |
| 2.3.1 薄膜晶格质量表征方法 | 第28-29页 |
| 2.3.2 成分、膜厚与电性能表征 | 第29-31页 |
| 2.4 具体实施方案 | 第31-33页 |
| 第三章 SI基衬底上SCALN薄膜的制备与研究 | 第33-45页 |
| 3.1 溅射气氛对ScAlN薄膜制备的影响 | 第33-39页 |
| 3.1.1 溅射气氛对ScAlN薄膜沉积速度的影响 | 第33-34页 |
| 3.1.2 溅射气氛对ScAlN薄膜结晶质量的影响 | 第34-37页 |
| 3.1.3 溅射气氛对ScAlN薄膜表面形貌的影响 | 第37-38页 |
| 3.1.4 溅射气氛对ScAlN薄膜电学性能的影响 | 第38-39页 |
| 3.2 衬底温度对ScAlN薄膜制备的影响 | 第39-44页 |
| 3.2.1 衬底温度对ScAlN薄膜沉积速率的影响 | 第40页 |
| 3.2.2 衬底温度对ScAlN薄膜结晶质量的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.3 衬底温度对ScAlN薄膜表面形貌的影响 | 第42-43页 |
| 3.2.4 衬底温度对ScAlN薄膜电学性能的影响 | 第43-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 NI基合金衬底上SCALN薄膜的制备 | 第45-58页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 Ni基和Si基ScAlN薄膜制备的比较 | 第45-52页 |
| 4.2.1 溅射功率密度对Ni基和Si基ScAlN薄膜沉积速率的影响 | 第45-46页 |
| 4.2.2 溅射功率密度对Ni基和Si基ScAlN薄膜结晶质量的影响 | 第46-50页 |
| 4.2.3 溅射功率密度对Ni基和Si基ScAlN薄膜电学性能的影响 | 第50-52页 |
| 4.3 射频磁控反应溅射制备Ni基合金衬底的(100)ScAlN薄膜 | 第52-57页 |
| 4.3.1 溅射气压对Ni基(100) ScAlN薄膜沉积速率的影响 | 第53页 |
| 4.3.2 溅射气压对Ni基(100) ScAlN薄膜结晶质量的影响 | 第53-56页 |
| 4.3.3 溅射气压对Ni基(100) ScAlN薄膜电学性能的影响 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67-68页 |
