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g-C3N4/氧化铝基异质结合成及其可见光催化活性研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第9-15页
    1.1 研究背景第9页
    1.2 半导体光催化材料的制备方法第9-11页
        1.2.1 物理法第9-10页
        1.2.2 化学沉淀法第10页
        1.2.3 溶胶凝胶法第10页
        1.2.4 水热法第10页
        1.2.5 溶液燃烧合成法第10-11页
        1.2.6 微波法第11页
        1.2.7 模板法第11页
    1.3 g-C_3N_4光催化材料研究现况第11-12页
        1.3.1 金属掺杂第11-12页
        1.3.2 非金属掺杂第12页
        1.3.3 形态学改性第12页
        1.3.4 贵金属沉积第12页
        1.3.5 异质结构筑第12页
    1.4 半导体材料光催化原理第12-13页
    1.5 g-C_3N_4光催化剂的应用第13-14页
        1.5.1 半导体光催化降解污染物第13页
        1.5.2 半导体光催化剂产氢第13-14页
    1.6 本课题的提出及拟研究内容第14-15页
第2章 实验部分第15-19页
    2.1 实验药品和仪器第15-17页
        2.1.1 实验药品第15-16页
        2.1.2 实验仪器第16-17页
    2.2 催化剂的表征第17-18页
        2.2.1 X射线衍射(XRD)第17页
        2.2.2 比表面积的测定(SSA)第17页
        2.2.3 扫描电子显微镜(SEM)第17页
        2.2.4 透射电镜(TEM)第17页
        2.2.5 傅立叶变换红外光谱(FT-IR)第17页
        2.2.6 X射线光电子能谱(XPS)第17页
        2.2.7 紫外可见漫反射吸收光谱(DRS)第17-18页
        2.2.8 光电流测试第18页
    2.3 催化剂光催化活性测试第18-19页
        2.3.1 光催化降解污染物第18-19页
第3章 MgAl_2O_4/g-C_3N_4异质结构筑及其可见光光催化性能研究第19-25页
    3.1 引言第19-20页
    3.2 实验部分第20页
        3.2.1 催化剂的制备第20页
        3.2.2 光催化性能测试第20页
    3.3 结果与讨论第20-22页
        3.3.1 X射线衍射分析(XRD)第20-21页
        3.3.2 紫外可见漫发射图谱分析(DRS)第21-22页
    3.4 光催化活性实验第22-24页
    3.5 本章小结第24-25页
第4章 Al_2O_3/g-C_3N_4异质结制备及其光催化活性研究第25-37页
    4.1 引言第25页
    4.2 实验部分第25-26页
        4.2.1 催化剂材料的制备第25页
        4.2.2 光催化性能测试第25-26页
    4.3 结果与讨论第26-32页
        4.3.1 晶体结构(XRD)第26-27页
        4.3.2 比表面积(BET)第27-28页
        4.3.3 扫描电子显微镜(SEM)第28-29页
        4.3.4 透射电镜分析(TEM)第29-30页
        4.3.5 傅里叶变换红外光谱分析(FT-IR)第30-31页
        4.3.6 光电子能谱分析(XPS)第31-32页
    4.4 光吸收与光催化活性研究第32-34页
    4.5 光催化机理第34-36页
    4.6 本章小结第36-37页
第5章 一步煅烧法制备Al_2O_3/g-C_3N_4异质结及其光催化活性研究第37-43页
    5.1 引言第37页
    5.2 实验部分第37-38页
        5.2.1 催化剂材料的制备第37页
        5.2.2 光催化性能测试第37-38页
    5.3 结果与讨论第38-39页
        5.3.1 X射线衍射分析(XRD)第38页
        5.3.2 紫外可见漫发射图谱分析(DRS)第38-39页
    5.4 光催化活性实验第39-41页
    5.5 本章小结第41-43页
结论第43-45页
参考文献第45-53页
攻读硕士学位期间所发表的论文第53-55页
致谢第55页

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