摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第9-15页 |
1.1 研究背景 | 第9页 |
1.2 半导体光催化材料的制备方法 | 第9-11页 |
1.2.1 物理法 | 第9-10页 |
1.2.2 化学沉淀法 | 第10页 |
1.2.3 溶胶凝胶法 | 第10页 |
1.2.4 水热法 | 第10页 |
1.2.5 溶液燃烧合成法 | 第10-11页 |
1.2.6 微波法 | 第11页 |
1.2.7 模板法 | 第11页 |
1.3 g-C_3N_4光催化材料研究现况 | 第11-12页 |
1.3.1 金属掺杂 | 第11-12页 |
1.3.2 非金属掺杂 | 第12页 |
1.3.3 形态学改性 | 第12页 |
1.3.4 贵金属沉积 | 第12页 |
1.3.5 异质结构筑 | 第12页 |
1.4 半导体材料光催化原理 | 第12-13页 |
1.5 g-C_3N_4光催化剂的应用 | 第13-14页 |
1.5.1 半导体光催化降解污染物 | 第13页 |
1.5.2 半导体光催化剂产氢 | 第13-14页 |
1.6 本课题的提出及拟研究内容 | 第14-15页 |
第2章 实验部分 | 第15-19页 |
2.1 实验药品和仪器 | 第15-17页 |
2.1.1 实验药品 | 第15-16页 |
2.1.2 实验仪器 | 第16-17页 |
2.2 催化剂的表征 | 第17-18页 |
2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第17页 |
2.2.2 比表面积的测定(SSA) | 第17页 |
2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第17页 |
2.2.4 透射电镜(TEM) | 第17页 |
2.2.5 傅立叶变换红外光谱(FT-IR) | 第17页 |
2.2.6 X射线光电子能谱(XPS) | 第17页 |
2.2.7 紫外可见漫反射吸收光谱(DRS) | 第17-18页 |
2.2.8 光电流测试 | 第18页 |
2.3 催化剂光催化活性测试 | 第18-19页 |
2.3.1 光催化降解污染物 | 第18-19页 |
第3章 MgAl_2O_4/g-C_3N_4异质结构筑及其可见光光催化性能研究 | 第19-25页 |
3.1 引言 | 第19-20页 |
3.2 实验部分 | 第20页 |
3.2.1 催化剂的制备 | 第20页 |
3.2.2 光催化性能测试 | 第20页 |
3.3 结果与讨论 | 第20-22页 |
3.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第20-21页 |
3.3.2 紫外可见漫发射图谱分析(DRS) | 第21-22页 |
3.4 光催化活性实验 | 第22-24页 |
3.5 本章小结 | 第24-25页 |
第4章 Al_2O_3/g-C_3N_4异质结制备及其光催化活性研究 | 第25-37页 |
4.1 引言 | 第25页 |
4.2 实验部分 | 第25-26页 |
4.2.1 催化剂材料的制备 | 第25页 |
4.2.2 光催化性能测试 | 第25-26页 |
4.3 结果与讨论 | 第26-32页 |
4.3.1 晶体结构(XRD) | 第26-27页 |
4.3.2 比表面积(BET) | 第27-28页 |
4.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第28-29页 |
4.3.4 透射电镜分析(TEM) | 第29-30页 |
4.3.5 傅里叶变换红外光谱分析(FT-IR) | 第30-31页 |
4.3.6 光电子能谱分析(XPS) | 第31-32页 |
4.4 光吸收与光催化活性研究 | 第32-34页 |
4.5 光催化机理 | 第34-36页 |
4.6 本章小结 | 第36-37页 |
第5章 一步煅烧法制备Al_2O_3/g-C_3N_4异质结及其光催化活性研究 | 第37-43页 |
5.1 引言 | 第37页 |
5.2 实验部分 | 第37-38页 |
5.2.1 催化剂材料的制备 | 第37页 |
5.2.2 光催化性能测试 | 第37-38页 |
5.3 结果与讨论 | 第38-39页 |
5.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第38页 |
5.3.2 紫外可见漫发射图谱分析(DRS) | 第38-39页 |
5.4 光催化活性实验 | 第39-41页 |
5.5 本章小结 | 第41-43页 |
结论 | 第43-45页 |
参考文献 | 第45-53页 |
攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第53-55页 |
致谢 | 第55页 |