| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第1章 引言 | 第12-29页 |
| 1.1 Ga N基LED简介 | 第12-16页 |
| 1.1.1 Ga N基LED的发展历史 | 第12-14页 |
| 1.1.2 Ga N基LED的发展现状 | 第14-16页 |
| 1.1.3 Ga N基LED的发展目标 | 第16页 |
| 1.2 Si衬底Ga N基LED简介 | 第16-19页 |
| 1.2.1 Si衬底Ga N基LED的优势 | 第16-17页 |
| 1.2.2 Si衬底Ga N基LED的挑战 | 第17-18页 |
| 1.2.3 Si衬底Ga N基LED的发展历程 | 第18-19页 |
| 1.3 Ga In N发光二极管量子效率衰退简介 | 第19-26页 |
| 1.3.1 LED量子效率 | 第19页 |
| 1.3.2 量子效率衰退现象 | 第19-20页 |
| 1.3.3 量子效率衰退机制简介 | 第20-26页 |
| 1.3.3.1 与缺陷有关的非辐射复合机制 | 第22-23页 |
| 1.3.3.2 俄歇复合 | 第23-24页 |
| 1.3.3.3 载流子解局域化 | 第24页 |
| 1.3.3.4 载流子泄露 | 第24-26页 |
| 1.3.4 量子效率衰退的解决方案 | 第26页 |
| 1.4 高功率绿光LED简介 | 第26-28页 |
| 1.5 本论文的结构安排 | 第28-29页 |
| 第2章 Ga N高速生长时的C污染及其光致发光特性研究 | 第29-40页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 实验 | 第30页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第30-39页 |
| 2.3.1 生长速率与MO源利用率之间的关系 | 第30-33页 |
| 2.3.2 生长速率对结构特性以及表面形貌的影响 | 第33-34页 |
| 2.3.3 生长速率对外延层中并入的杂质元素浓度的影响 | 第34-36页 |
| 2.3.4 生长速率对Ga N光学性质的影响 | 第36-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第3章 p-Al Ga N陡峭掺杂对Ga N基LED性能提升的研究 | 第40-52页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 实验 | 第41-42页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第42-50页 |
| 3.3.1 样品间p-Al Ga N掺杂形貌的变化 | 第42-43页 |
| 3.3.2 p-Al Ga N掺杂形貌的变化对器件常温光电性能的影响 | 第43-46页 |
| 3.3.3 p-Al Ga N掺杂形貌的变化对器件低温光电性能的影响 | 第46-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第4章 Ga N基LED电压随温度变化特性研究 | 第52-61页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 Ga In N LED器件电压随温度变化的理论基础 | 第52-54页 |
| 4.3 实验 | 第54-55页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第55-60页 |
| 4.4.1 不同有源区结构，波长等性质对正向电压随温度变化特性影响 | 第55-57页 |
| 4.4.2 p-Al Ga N掺杂形貌对电压随温度变化特性影响 | 第57-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 具备高光效Si衬底绿光LED外延生长优化研究 | 第61-88页 |
| 5.1 N层掺杂浓度对器件光电性能的影响 | 第61-69页 |
| 5.1.1 具有超薄缓冲层以及N层的外延结构设计 | 第61-62页 |
| 5.1.2 N层整体掺杂浓度器件光电性能影响 | 第62-66页 |
| 5.1.3 N末层掺杂浓度器件光电性能影响 | 第66-69页 |
| 5.2 阱前插入层参数变化对器件光电性能影响 | 第69-76页 |
| 5.2.1 低温Ga N层厚度对器件光电性能的影响 | 第70-72页 |
| 5.2.2 In Ga N/Ga N超晶格In组份对器件光电性能影响 | 第72-74页 |
| 5.2.3 插入层中蓝光量子阱的阱厚对器件光电性能的影响 | 第74-76页 |
| 5.3 绿光量子阱的阱厚对器件光电性能的影响 | 第76-79页 |
| 5.4 插入层以及量子阱的掺杂对器件光电性能的影响 | 第79-83页 |
| 5.5 绿光垒结构对器件光电性能的影响 | 第83-85页 |
| 5.6 Si衬底大功率绿光LED最新进展 | 第85-87页 |
| 5.7 本章小结 | 第87-88页 |
| 第6章 p-Al Ga N厚度对含有大型V形坑的绿光LED漏电性能以及量子效率的影响 | 第88-98页 |
| 6.1 前言 | 第88-89页 |
| 6.2 实验 | 第89-90页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第90-97页 |
| 6.3.1 p-Al Ga N厚度增加对含有大型V形坑器件漏电流影响 | 第90-93页 |
| 6.3.2 p-Al Ga N厚度增加对器件EQ E的影响 | 第93-97页 |
| 6.4 小结 | 第97-98页 |
| 第7章 结论和展望 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-113页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第113页 |
