MOCVD工艺制备Y2O3涂层的研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
目录 | 第8-11页 |
1. 绪论 | 第11-24页 |
·防氚渗透涂层的应用背景 | 第11-12页 |
·聚变堆结构材料的选择 | 第12页 |
·防氚渗透涂层材料的选择 | 第12-14页 |
·防氚渗透涂层的制备及研究进展 | 第14-15页 |
·国内防氚渗透涂层的研究进展 | 第14-15页 |
·国外防氚渗透涂层的研究进展 | 第15页 |
·氧化钇涂层的制备方法研究现状 | 第15-22页 |
·磁控溅射法 | 第16-17页 |
·电子束蒸发法 | 第17页 |
·超高真空离子束团粒束法 | 第17-18页 |
·分子束外延法 | 第18页 |
·脉冲激光沉积 | 第18-19页 |
·真空等离子体喷涂 | 第19页 |
·离子束溅射 | 第19-20页 |
·化学溶液法 | 第20页 |
·溶胶凝胶法 | 第20页 |
·喷雾分解法 | 第20页 |
·原子层沉积 | 第20-21页 |
·化学气相沉积 | 第21-22页 |
·本文的研究内容 | 第22-24页 |
2. 薄膜的制备及表征方法 | 第24-28页 |
·MOCVD方法简介 | 第24-25页 |
·实验设备与工艺简介 | 第25-26页 |
·薄膜的测试方法 | 第26-28页 |
·X射线衍射 | 第26页 |
·扫描电镜(SEM) | 第26页 |
·原子力显微镜测试 | 第26-27页 |
·涂层与基底膜基结合力测试 | 第27页 |
·绝缘电阻率测试 | 第27页 |
·残余应力测试 | 第27-28页 |
3. 3.6 L不锈钢上Y_2O_3涂层的制备 | 第28-45页 |
·表面形貌分析 | 第28-35页 |
·不同沉积温度制备的涂层SEM表面形貌 | 第28-29页 |
·不同沉积温度制备的涂层AFM表面形貌 | 第29-31页 |
·不同沉积气压制备的涂层SEM表面形貌 | 第31页 |
·不同沉积气压制备的涂层AFM表面形貌 | 第31-32页 |
·不同沉积时间涂层的SEM表面形貌 | 第32-34页 |
·不同沉积时间涂层的AFM表面形貌 | 第34-35页 |
·断面形貌 | 第35-36页 |
·表面成分分析 | 第36-38页 |
·不同沉积温度制备的涂层表面成分分析 | 第36-37页 |
·不同沉积气压制备的涂层表面成分分析 | 第37-38页 |
·膜基结合力测试分析 | 第38-40页 |
·绝缘电阻率测试 | 第40-41页 |
·薄膜残余应力测试 | 第41-43页 |
·退火对涂层表面形貌的改善 | 第43-44页 |
·小结 | 第44-45页 |
4. CLAM钢上氧化钇涂层的制备 | 第45-59页 |
·表面形貌 | 第45-51页 |
·不同沉积温度制备的涂层SEM表面形貌 | 第45-46页 |
·不同沉积温度制备的涂层AFM表面形貌 | 第46-47页 |
·不同沉积气压制备的涂层SEM表面形貌 | 第47-48页 |
·不同沉积气压制备的涂层AFM表面形貌 | 第48-49页 |
·不同沉积时间涂层的SEM表面形貌 | 第49-50页 |
·不同沉积时间涂层的AFM表面形貌 | 第50-51页 |
·断面形貌 | 第51-53页 |
·表面相成分分析 | 第53-55页 |
·不同沉积温度制备的涂层表面成分分析 | 第53-54页 |
·不同沉积气压制备的涂层表面成分分析 | 第54-55页 |
·膜基结合力测试 | 第55-57页 |
·退火对薄膜表面形貌的影响 | 第57-58页 |
·小结 | 第58-59页 |
结论 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-66页 |
攻读硕士期间取得的学术成果 | 第66-67页 |
致谢 | 第67页 |