基于氮化钽薄膜材料的低TCR功率电阻器制备与性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 TaN薄膜的研究和应用现状介绍 | 第12-18页 |
| 1.2.1 TaN薄膜的制备方法 | 第13-15页 |
| 1.2.2 TaN薄膜的应用 | 第15-16页 |
| 1.2.3 TaN薄膜沉积工艺与性能的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2.4 TaN电阻膜TCR控制的研究 | 第17-18页 |
| 1.3 选题依据与研究内容 | 第18-21页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第18页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第18-21页 |
| 第二章 低TCR氮化钽电阻薄膜的制备 | 第21-41页 |
| 引言 | 第21-22页 |
| 2.1 TaN薄膜的制备方法与表征手段 | 第22-24页 |
| 2.1.1 磁控溅射法制备TaN薄膜 | 第22-23页 |
| 2.1.2 TaN薄膜表征手段 | 第23-24页 |
| 2.2 溅射功率对薄膜的影响 | 第24-31页 |
| 2.2.1 溅射功率对薄膜物相的影响 | 第25-26页 |
| 2.2.2 溅射功率对薄膜形貌的影响 | 第26-27页 |
| 2.2.3 溅射功率对薄膜电阻率的影响 | 第27-29页 |
| 2.2.4 溅射功率对薄膜TCR的影响 | 第29-31页 |
| 2.3 溅射氮分压对薄膜的影响 | 第31-35页 |
| 2.3.1 氮分压对薄膜物相的影响 | 第31-32页 |
| 2.3.2 氮分压对薄膜表面形貌的影响 | 第32-34页 |
| 2.3.3 氮分压对薄膜电阻率和TCR的影响 | 第34-35页 |
| 2.4 溅射气压对薄膜的影响 | 第35-38页 |
| 2.4.1 溅射气压对薄膜物相的影响 | 第36-37页 |
| 2.4.2 溅射气压对薄膜电阻率和TCR的影响 | 第37-38页 |
| 2.5 正交实验确定最佳工艺参数 | 第38-39页 |
| 2.6 本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 TaN薄膜电阻器的制备与性能研究 | 第41-55页 |
| 3.1 TaN薄膜电阻器制备 | 第41-46页 |
| 3.1.1 材料准备 | 第41页 |
| 3.1.2 电阻平面结构确定 | 第41-42页 |
| 3.1.3 薄膜电阻制备 | 第42-46页 |
| 3.2 TaN薄膜电阻器性能研究 | 第46-50页 |
| 3.2.1 功率加载特性 | 第46-47页 |
| 3.2.2 不同环境温度下电阻膜表面温度分布 | 第47-50页 |
| 3.3 TaN薄膜电阻器失效研究 | 第50-53页 |
| 3.3.1 电阻膜氧化研究 | 第50-52页 |
| 3.3.2 电极层在高温下脱落研究 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 TaN微波功率电阻设计与制备 | 第55-67页 |
| 引言 | 第55页 |
| 4.1 电阻膜平面尺寸设计 | 第55-56页 |
| 4.2 微波功率电阻频率设计 | 第56-63页 |
| 4.2.1 频率设计理论基础 | 第56-58页 |
| 4.2.2 微波功率电阻模型建立 | 第58-59页 |
| 4.2.3 仿真结果查看 | 第59-63页 |
| 4.3 薄膜微波功率电阻器的制备与性能测试 | 第63-66页 |
| 4.3.1 功率电阻制备 | 第63-64页 |
| 4.3.2 微波功率电阻性能测试 | 第64-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 附件 | 第74页 |
