硅量子点双势垒浮栅存储器的研究

摘要	第4-5页
ABSTRACT	第5页
1 绪论	第8-17页
1.1 研究背景概述	第8-9页
1.2 非易失性存储器的发展前景与市场	第9-11页
1.3 新型非易失性存储器的出现	第11-15页
1.4 本文结构与章节安排	第15-17页
2 非易失性存储器的工作机理	第17-28页
2.1 基本结构原理	第17-19页
2.2 电荷输运机制	第19-25页
2.3 非易失性存储器的可靠性	第25-28页
3 硅量子点双势垒浮栅存储器	第28-43页
3.1 多种硅量子点存储器结构模型	第29-33页
3.2 硅量子点双势垒浮栅存储器工作原理	第33-39页
3.3 基于SICX的硅量子点双势垒浮栅存储器	第39-43页
4 硅量子点双势垒浮栅存储器的模拟仿真	第43-62页
4.1 SILVACO TCAD仿真工具介绍	第43-46页
4.2 硅量子点双势垒浮栅存储器的写入/擦除模拟	第46-50页
4.3 硅量子点尺寸、数量对存储窗.的影响	第50-54页
4.4 不同模型结构的双势垒浮栅存储器模拟分析	第54-62页
5 基于碳化硅材料的硅量子点双势垒浮栅结构的制备	第62-70页
5.1 硅量子点制备工艺	第62-64页
5.2 制备硅量子点母体材料的选择	第64-65页
5.3 制备富硅SICX薄膜	第65-67页
5.4 含硅量子点SICX材料浮栅存储结构制备	第67-70页
6 总结	第70-72页
致谢	第72-73页
参考文献	第73-78页
附录1攻读硕士学位期间发表的论文	第78-79页
附录2攻读硕士学位期间申请的专利及获奖	第79页