| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-41页 |
| 1.1 集成无源器件简介 | 第15-19页 |
| 1.2 薄膜集成电容器分类 | 第19页 |
| 1.3 薄膜集成电容器工艺 | 第19-22页 |
| 1.3.1 工艺介绍 | 第19-21页 |
| 1.3.2 介质薄膜集成电容器工艺难点 | 第21-22页 |
| 1.4 微波介质材料主要性能参数 | 第22-30页 |
| 1.4.1 介电常数 | 第22-26页 |
| 1.4.2 品质因素Q或介质损耗tanδ | 第26-28页 |
| 1.4.3 谐振频率温度系数 | 第28-29页 |
| 1.4.4 介电常数温度系数 | 第29-30页 |
| 1.5 微波介质材料的分类、发展及应用 | 第30-35页 |
| 1.5.1 高温烧结型微波介质材料 | 第30-31页 |
| 1.5.2 低温烧结型微波介质材料 | 第31-34页 |
| 1.5.3 微波介质材料应用 | 第34-35页 |
| 1.6 Bi_2O_3-MoO_3二元体系概述 | 第35-36页 |
| 1.7 介质薄膜制备技术比较及优缺点比较 | 第36-39页 |
| 1.7.1 介质薄膜制备技术简介 | 第36-38页 |
| 1.7.2 常用介质薄膜制备技术优缺点比较 | 第38-39页 |
| 1.8 本论文的研究内容及创新点 | 第39-41页 |
| 1.8.1 本论文的研究内容 | 第39-40页 |
| 1.8.2 本论文的创新点 | 第40-41页 |
| 第二章 实验方法 | 第41-53页 |
| 2.1 块体材料的制备 | 第41-44页 |
| 2.1.1 主要原材料及仪器设备 | 第41-42页 |
| 2.1.2 制备工艺流程 | 第42-43页 |
| 2.1.3 Bi_2MoO_6、Bi_2Mo_2O_9和Bi_2Mo_3O_12粉体合成及陶瓷制备步骤 | 第43页 |
| 2.1.4 xSm_2O_3+(1-x) Bi_2MoO_6、xMgO+(1-x) Bi_2Mo_2O_9、x Bi_2Mo_3O_12+(1-x)TiO_2陶瓷的制备步骤 | 第43页 |
| 2.1.5 xBi_2MoO_6+(1-x) Bi_2Mo_2O_9、x Bi_2Mo_3O_12+(1-x) Bi_2Mo_2O_9陶瓷制备步骤 | 第43-44页 |
| 2.2 Bi-Mo-O介质薄膜制备 | 第44-46页 |
| 2.2.1 主要原材料及仪器设备 | 第44-45页 |
| 2.2.2 制备工艺流程 | 第45页 |
| 2.2.3 热氧化法制备Bi-Mo-O介质薄膜步骤 | 第45-46页 |
| 2.3 材料结构表征 | 第46-49页 |
| 2.3.1 结构分析的主要仪器设备 | 第46-47页 |
| 2.3.2 粒度分析 | 第47页 |
| 2.3.3 综合热分析 | 第47页 |
| 2.3.4 物相分析 | 第47页 |
| 2.3.5 微观形貌分析 | 第47-48页 |
| 2.3.6 陶瓷样品体积密度测试 | 第48-49页 |
| 2.4 电性能分析 | 第49-53页 |
| 2.4.1 电性能分析的主要仪器设备 | 第49-50页 |
| 2.4.2 块体材料低频介电性能测试 | 第50页 |
| 2.4.3 块体材料τ_ε测试 | 第50-51页 |
| 2.4.4 块体材料微波介电性能测试 | 第51-52页 |
| 2.4.5 块体材料谐振频率温度系数测试 | 第52页 |
| 2.4.6 介质薄膜介电常数及介质损耗频率特性测试 | 第52页 |
| 2.4.7 介质薄膜电压特性测试 | 第52-53页 |
| 第三章 Bi_2MoO_6、Bi_2Mo_2O_9和Bi_2Mo_3O_12陶瓷的微观结构及介电性能 | 第53-91页 |
| 3.1 原材料性能表征 | 第53-54页 |
| 3.2 Bi_2MoO_6性能研究 | 第54-66页 |
| 3.2.1 综合热分析 | 第55-56页 |
| 3.2.2 不同合成温度下的物相 | 第56-58页 |
| 3.2.3 不同烧结温度下的物相 | 第58-59页 |
| 3.2.4 不同烧结温度下的形貌 | 第59-62页 |
| 3.2.5 不同烧结温度下的体积密度 | 第62页 |
| 3.2.6 低频介电性能 | 第62-64页 |
| 3.2.7 微波介电性能 | 第64-66页 |
| 3.3 Bi_2Mo_2O_9性能研究 | 第66-78页 |
| 3.3.1 综合热分析 | 第67页 |
| 3.3.2 不同合成温度下的物相 | 第67-69页 |
| 3.3.3 不同烧结温度下的物相 | 第69-71页 |
| 3.3.4 不同烧结温度下的形貌 | 第71-74页 |
| 3.3.5 不同烧结温度下的体积密度 | 第74-75页 |
| 3.3.6 低频介电性能 | 第75-76页 |
| 3.3.7 微波介电性能 | 第76-78页 |
| 3.4 Bi_2Mo_3O_12性能研究 | 第78-88页 |
| 3.4.1 综合热分析 | 第79-80页 |
| 3.4.2 不同合成温度下的物相 | 第80-81页 |
| 3.4.3 不同烧结温度下的物相 | 第81-82页 |
| 3.4.4 不同烧结温度下的形貌 | 第82-85页 |
| 3.4.5 不同烧结温度下的体积密度 | 第85页 |
| 3.4.6 低频介电性能 | 第85-86页 |
| 3.4.7 微波介电性能 | 第86-88页 |
| 3.5 介电常数理论值与实测值 | 第88-90页 |
| 3.6 本章小结 | 第90-91页 |
| 第四章 Bi_2MoO_6、Bi_2Mo_2O_9和Bi_2Mo_3O_12微波介质陶瓷的改性研究 | 第91-130页 |
| 4.1 xSm_2O_3+(1-x)Bi_2MoO_6陶瓷的微波介电性能 | 第91-98页 |
| 4.1.1 物相分析 | 第91-93页 |
| 4.1.2 微观形貌 | 第93-98页 |
| 4.1.3 微波介电性能 | 第98页 |
| 4.2 xMgO+(1-x)Bi_2Mo_2O_9陶瓷的微波介电性能 | 第98-107页 |
| 4.2.1 物相分析 | 第99-101页 |
| 4.2.2 微观形貌 | 第101-107页 |
| 4.2.3 微波介电性能 | 第107页 |
| 4.3 x Bi_2Mo_3O_12+(1-x)TiO_2陶瓷的微波介电性能 | 第107-116页 |
| 4.3.1 物相分析 | 第108-109页 |
| 4.3.2 微观形貌 | 第109-114页 |
| 4.3.3 微波介电性能 | 第114-116页 |
| 4.4 x Bi_2MoO_6+(1-x)Bi_2Mo_2O_9陶瓷的微波介电性能 | 第116-120页 |
| 4.4.1 综合热分析 | 第116-117页 |
| 4.4.2 物相分析 | 第117-118页 |
| 4.4.3 微观形貌 | 第118-119页 |
| 4.4.4 微波介电性能 | 第119-120页 |
| 4.5 x Bi_2Mo_3O_12+(1-x)Bi_2Mo_2O_9陶瓷的微波介电性能 | 第120-128页 |
| 4.5.1 综合热分析 | 第120-121页 |
| 4.5.2 物相分析 | 第121-123页 |
| 4.5.3 微观形貌 | 第123-127页 |
| 4.5.4 微波介电性能 | 第127-128页 |
| 4.6 本章小结 | 第128-130页 |
| 第五章 Bi-Mo-O介质薄膜制备及介电性能研究 | 第130-148页 |
| 5.1 Bi和Mo沉积速率测定 | 第130-131页 |
| 5.2 Bi的热氧化 | 第131-133页 |
| 5.3 Mo的热氧化 | 第133-135页 |
| 5.4 热氧化法制备Bi_2Mo_3O_12-Bi_2MoO_6介质薄膜 | 第135-139页 |
| 5.4.1 不同热氧化温度下薄膜的物相 | 第136页 |
| 5.4.2 不同热氧化温度下薄膜的表面形貌 | 第136-137页 |
| 5.4.3 薄膜电容器的特性 | 第137-139页 |
| 5.5 热氧化法制备Bi_2MoO_6- Bi_2Mo_2O_9介质薄膜 | 第139-144页 |
| 5.5.1 介质薄膜的物相 | 第139-141页 |
| 5.5.2 介质薄膜的形貌 | 第141-143页 |
| 5.5.3 介质薄膜的介电特性 | 第143-144页 |
| 5.6 热氧化机理分析 | 第144-146页 |
| 5.7 本章小结 | 第146-148页 |
| 第六章 全文结论 | 第148-151页 |
| 参考文献 | 第151-171页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第171-172页 |
| 致谢 | 第172-173页 |
| 答辩委员会对论文的评定意见 | 第173页 |
