毫米波InP HEMT模型和低噪声放大器的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究历史与现状 | 第10-11页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第11-12页 |
| 第二章 InP低噪声HEMT器件与工艺 | 第12-25页 |
| 2.1 InP HEMT器件结构 | 第12-13页 |
| 2.2 工艺加工 | 第13-16页 |
| 2.3 HEMT工作原理 | 第16-18页 |
| 2.3.1 异质结以及 2DEG | 第16页 |
| 2.3.2 栅调制效应 | 第16-17页 |
| 2.3.3 HEMT器件I-V特性 | 第17-18页 |
| 2.4 器件设计 | 第18-20页 |
| 2.5 测试 | 第20-24页 |
| 2.5.1 直流测试 | 第21-22页 |
| 2.5.2 小信号S参数测试 | 第22-24页 |
| 2.6 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 InP HEMT模型研究 | 第25-41页 |
| 3.1 改进的小信号等效模型 | 第25-26页 |
| 3.2 参数提取 | 第26-31页 |
| 3.2.1 寄生参数的提取 | 第26-28页 |
| 3.2.2 本征参数的提取 | 第28-30页 |
| 3.2.3 模型验证 | 第30-31页 |
| 3.3 噪声模型 | 第31-40页 |
| 3.3.1 PUCEL噪声模型 | 第31-33页 |
| 3.3.2 PUCEL噪声模型的计算 | 第33-34页 |
| 3.3.3 模型测试与验证 | 第34-40页 |
| 3.4 本章总结 | 第40-41页 |
| 第四章 InP HEMT低噪声放大器设计 | 第41-60页 |
| 4.1 低噪声放大器的性能指标 | 第41-46页 |
| 4.1.1 噪声系数 | 第41页 |
| 4.1.2 工作频带 | 第41-42页 |
| 4.1.3 动态范围 | 第42页 |
| 4.1.4 增益 | 第42-45页 |
| 4.1.5 1dB压缩点 | 第45-46页 |
| 4.1.6 端口驻波比 | 第46页 |
| 4.2 低噪声放大器的稳定性判断 | 第46-48页 |
| 4.2.1 稳定性圆 | 第47-48页 |
| 4.2.2 无条件稳定的检验 | 第48页 |
| 4.3 等噪声系数圆 | 第48-49页 |
| 4.4 等增益圆 | 第49-50页 |
| 4.5 电路设计原理 | 第50-54页 |
| 4.5.1 偏置电路的设计 | 第51-53页 |
| 4.5.2 输入级匹配原理 | 第53页 |
| 4.5.3 级间匹配原理 | 第53-54页 |
| 4.5.4 输出级匹配原理 | 第54页 |
| 4.6 115-125GHz四级低噪声放大器 | 第54-59页 |
| 4.7 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 总结 | 第60页 |
| 5.2 未来展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 在学期间取得的与学位论文相关的研究成果 | 第65-66页 |
