摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-16页 |
1.1 锂离子电池概述 | 第8页 |
1.1.1 引言 | 第8页 |
1.1.2 锂离子电池负极材料 | 第8页 |
1.2 硅基负极材料的研究进展 | 第8-12页 |
1.2.1 不同形貌的纳米硅材料 | 第9-11页 |
1.2.2 硅-金属复合材料 | 第11页 |
1.2.3 三维多孔结构的硅材料 | 第11-12页 |
1.3 硅/石墨烯纳米复合材料 | 第12-15页 |
1.3.1 Si/G复合薄膜电极 | 第12-13页 |
1.3.2 Si/G纳米复合材料 | 第13-14页 |
1.3.3 Si/G三维多孔结构 | 第14-15页 |
1.4 本课题的研究目的和研究内容 | 第15-16页 |
1.4.1 研究目的 | 第15页 |
1.4.2 研究内容 | 第15-16页 |
第2章 实验材料与实验方法 | 第16-23页 |
2.1 实验药品及仪器设备 | 第16-17页 |
2.1.1 实验药品 | 第16页 |
2.1.2 仪器设备 | 第16-17页 |
2.2 静电自组装法制备Si/G复合材料 | 第17-20页 |
2.2.1 Si/GO的静电自组装 | 第17-19页 |
2.2.2 Si/GO的还原 | 第19-20页 |
2.3 三维多孔结构的Si/G复合材料的制备 | 第20页 |
2.4 电池的组装 | 第20页 |
2.5 物理性能表征 | 第20-21页 |
2.5.1 X-射线衍射测试(XRD) | 第20-21页 |
2.5.2 扫描电子显微镜测试(SEM) | 第21页 |
2.5.3 透射电子显微镜测试(TEM) | 第21页 |
2.5.4 热重分析测试(TG) | 第21页 |
2.6 电化学性能表征 | 第21-23页 |
2.6.1 循环伏安测试(CV) | 第21页 |
2.6.2 交流阻抗谱测试(EIS) | 第21页 |
2.6.3 充放电测试以及倍率性能测试 | 第21-23页 |
第3章 静电自组装制备的Si/G复合材料的性能研究 | 第23-38页 |
3.1 引言 | 第23页 |
3.2 Si/G复合材料的制备条件 | 第23-29页 |
3.2.1 不同刻蚀溶剂对Si/G复合材料性能的影响 | 第23-25页 |
3.2.2 不同HF用量对Si/G复合材料性能的影响 | 第25-27页 |
3.2.3 不同Si/GO比例对Si/G复合材料性能的影响 | 第27-29页 |
3.3 Si/G复合材料的结构表征 | 第29-33页 |
3.3.1 XRD测试 | 第29-30页 |
3.3.2 SEM测试 | 第30-31页 |
3.3.3 TEM测试 | 第31-32页 |
3.3.4 TG测试 | 第32-33页 |
3.4 Si/G复合材料的电化学性能表征 | 第33-37页 |
3.4.1 循环伏安(CV)测试 | 第33-34页 |
3.4.2 充放电性能测试 | 第34-35页 |
3.4.3 循环性能测试 | 第35页 |
3.4.4 交流阻抗谱(EIS)测试 | 第35-36页 |
3.4.5 倍率性能测试 | 第36-37页 |
3.5 本章小结 | 第37-38页 |
第4章 三维多孔结构的Si/G复合材料 | 第38-49页 |
4.1 引言 | 第38页 |
4.2 三维多孔结构的Si/G复合材料的制备条件 | 第38-41页 |
4.2.1 不同Si/GO比例的三维Si/G的伏安特性 | 第38-39页 |
4.2.2 不同Si/GO比例的三维Si/G的充放电性能 | 第39-40页 |
4.2.3 不同Si/GO比例的三维Si/G的循环性能 | 第40-41页 |
4.3 三维Si/G复合材料的结构表征 | 第41-44页 |
4.3.1 XRD表征 | 第41页 |
4.3.2 宏观形貌 | 第41-42页 |
4.3.3 SEM表征 | 第42-43页 |
4.3.4 TEM表征 | 第43页 |
4.3.5 TG表征 | 第43-44页 |
4.4 三维Si/G复合材料的电化学性能表征 | 第44-48页 |
4.4.1 循环伏安(CV) | 第44-45页 |
4.4.2 充放电性能 | 第45-46页 |
4.4.3 循环性能 | 第46页 |
4.4.4 交流阻抗谱(EIS) | 第46-47页 |
4.4.5 倍率性能 | 第47-48页 |
4.5 本章小结 | 第48-49页 |
结论 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-54页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第54-56页 |
致谢 | 第56页 |