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微晶玻璃和碳化硅反射镜加工工艺基础研究

中文摘要第4-5页
abstract第5-6页
第1章 绪论第9-18页
    1.1 课题研究的背景与意义第9-11页
    1.2 国内外现状第11-16页
    1.3 论文主要内容第16-18页
第2章 研磨去除机理和破坏层深度确定方法及其实验设备介绍第18-24页
    2.1 研磨去除机理第18-19页
    2.2 研磨破坏层深度确定方法第19-20页
    2.3 实验仪器介绍第20-23页
    2.4 本章小结第23-24页
第3章 微晶玻璃反射镜加工工艺基础研究第24-31页
    3.1 研磨微晶玻璃毛坯的表面破坏层深度确定方法第24-25页
    3.2 不同研磨工艺条件下微晶玻璃表面形貌分析第25-26页
    3.3 不同研磨工艺条件下微晶玻璃毛坯表面破坏层深度第26-29页
        3.3.1 W10金刚砂铸铁盘研磨微晶玻璃毛坯表面破坏层深度第26页
        3.3.2 W14金刚砂铸铁盘研磨微晶玻璃毛坯表面破坏层深度第26-27页
        3.3.3 W10金刚砂K9盘研磨微晶玻璃毛坯表面破坏层深度第27-28页
        3.3.4 W14金刚砂K9盘研磨微晶玻璃毛坯表面破坏层深度第28-29页
    3.4 实验结果与分析第29-30页
    3.5 本章小结第30-31页
第4章 碳化硅反射镜加工工艺基础研究第31-53页
    4.1 抛光磨料的选择及实验研究中抛光方案确定第31-35页
    4.2 研磨碳化硅试验件的表面破坏层深度确定方法第35-36页
    4.3 不同大小碳化硼磨料研磨碳化硅的去除效率第36-37页
    4.4 不同大小碳化硼磨料研磨碳化硅的表面形貌第37-39页
    4.5 碳化硼磨料研磨碳化硅的表面破坏层深度及表面粗糙度分析第39-48页
        4.5.1 W3.5 碳化硼研磨碳化硅的表面破坏层深度及表面粗糙度分析第39-40页
        4.5.2 W5碳化硼研磨碳化硅的表面破坏层深度及表面粗糙度分析第40-42页
        4.5.3 W7碳化硼研磨碳化硅的表面破坏层深度及表面粗糙度分析第42-43页
        4.5.4 W10碳化硼研磨碳化硅的表面破坏层深度及表面粗糙度分析第43-45页
        4.5.5 W14碳化硼研磨碳化硅的表面破坏层深度及表面粗糙度分析第45-46页
        4.5.6 W28碳化硼研磨碳化硅的表面破坏层深度及表面粗糙度分析第46-48页
    4.6 不同粒度碳化硼磨料研磨碳化硅的表面破坏层深度规律第48-50页
    4.7 不同粒度碳化硼磨料研磨对抛光后表面粗糙度的影响规律第50-51页
    4.8 本章小结第51-53页
第5章 碳化硅反射镜加工工艺优化第53-59页
    5.1 碳化硅研磨及抛光工艺方案分析优化第53-55页
    5.2 工艺方案实验及工艺中的碳化硅表面形貌及结果第55-58页
        5.2.1 研磨实验第55-57页
        5.2.2 抛光实验及结果第57-58页
    5.3 本章小结第58-59页
第6章 总结和展望第59-60页
    6.1 全文工作总结第59页
    6.2 展望第59-60页
参考文献第60-64页
攻读硕士期间公开发表的论文第64-65页
致谢第65-66页

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